[发明专利]体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统

权利要求书

1.一种体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，形成具有牺牲凸起的第一牺牲层于部分所述衬底上；

形成底电极层于所述第一牺牲层上，所述底电极层覆盖在所述牺牲凸起的表面上的部分形成底电极凸起部；

形成压电谐振层于所述底电极层上，所述底电极凸起部围绕所述压电谐振层的周边方向延伸且被所述压电谐振层暴露出来；

形成第二牺牲层于所述压电谐振层周围暴露出的区域中，所述第二牺牲层和所述压电谐振层的顶面齐平；

形成顶电极层于所述压电谐振层及压电谐振层周围的部分第二牺牲层上；

去除所述第二牺牲层和具有所述牺牲凸起的所述第一牺牲层，所述第二牺牲层和所述第一牺牲层的位置形成空腔，所述底电极凸起部位于所述压电谐振层外围的空腔区域中，且所述顶电极层位于所述空腔上方的部分是平坦延伸的。

2.如权利要求1所述的体声波谐振器的制造方法，其特征在于，形成具有牺牲凸起的第一牺牲层于部分衬底上的步骤包括：刻蚀所述衬底，以形成凹槽于所述衬底中；形成第一牺牲层填充于所述凹槽中；在所述第一牺牲层和所述衬底上覆盖牺牲材料层，图案化所述牺牲材料层，以形成牺牲凸起凸设于部分所述第一牺牲层上；

形成具有牺牲凸起的第一牺牲层于部分衬底上的步骤包括：覆盖第一牺牲层于所述衬底上；图案化所述第一牺牲层，以形成第一牺牲层凸设于部分所述衬底上；在所述第一牺牲层和所述衬底上覆盖牺牲材料层，图案化所述牺牲材料层，以形成牺牲凸起凸设于部分所述第一牺牲层上。

3.如权利要求1所述的体声波谐振器的制造方法，其特征在于，去除所述第二牺牲层和所述具有牺牲凸起的第一牺牲层的步骤包括：

在形成顶电极层之后，形成至少一个释放孔，所述释放孔至少暴露出部分所述第二牺牲层、部分所述牺牲凸起或所述牺牲凸起以外的部分所述第一牺牲层；

向所述释放孔中通入气体和/或药液，以去除所述第二牺牲层和所述具有所述牺牲凸起的第一牺牲层。

4.如权利要求1至3中任一项所述的体声波谐振器的制造方法，其特征在于，形成所述底电极层的步骤包括：沉积底电极材料层覆盖于具有所述牺牲凸起的所述第一牺牲层上；图案化所述底电极材料层，以形成依次连接的底电极搭接部、所述底电极凸起部和底电极谐振部，所述底电极谐振部与所述压电谐振层重叠，所述底电极搭接部背向所述底电极凸起部的一端搭接到所述空腔外围的衬底上。

5.如权利要求4所述的体声波谐振器的制造方法，其特征在于，形成所述顶电极层步骤包括：沉积顶电极材料层覆盖于所述第二牺牲层以及压电谐振层上；对所述顶电极材料层进行顶面平坦化；图案化所述顶电极材料层，以形成依次连接的顶电极搭接部和顶电极谐振部，所述顶电极谐振部与所述压电谐振层重叠，所述顶电极搭接部背向所述顶电极谐振部的一侧平坦地延伸到所述空腔外围的部分衬底上方，且所述顶电极搭接部和所述底电极搭接部相互错开。

6.如权利要求5所述的体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述底电极谐振部和所述顶电极谐振部均为多边形，所述底电极凸起部沿着所述底电极谐振部的边设置且至少设置在所述底电极搭接部和所述底电极谐振部对齐的区域中，所述顶电极搭接部沿着所述顶电极谐振部的边设置。

7.如权利要求1至3和5至6中任一项所述的体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述底电极凸起部与所述压电谐振层之间的水平距离为制造所述底电极凸起部的工艺所允许的最小距离。

8.如权利要求1至3和5至6中任一项所述的体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述底电极凸起部的线宽为制造所述底电极凸起部的工艺所允许的最小线宽。

9.如权利要求4所述的体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述底电极凸起部沿着所述底电极谐振部的边设置且至少设置在所述底电极搭接部和所述底电极谐振部对齐的区域中。