[发明专利]一种晶体管的鳍柱的形成方法及晶体管

权利要求书

1.一种晶体管的鳍柱的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成鳍片；

在所述鳍片上植入鳍片填充物形成填充区；

移除所述鳍片上的所述填充区，以形成所述鳍柱；

所述鳍柱远离所述衬底的一侧形成有掩膜层，所述掩膜层包括第一掩膜层和/或第二掩膜层；在所述鳍片的长度延伸方向上，所述第一掩膜层至少横跨同一个鳍片上相邻的两个鳍柱；在所述鳍片的宽度延伸方向上，所述第二掩膜层至少横跨两个相邻鳍片上的鳍柱。

2.根据权利要求1所述的晶体管的鳍柱的形成方法，其特征在于，当所述掩膜层包括第一掩膜层和第二掩膜层时，所述第一掩膜层与所述鳍柱远离所述衬底的一侧接触，所述第二掩膜层位于所述第一掩膜层远离所述鳍柱的一侧。

3.根据权利要求2所述的晶体管的鳍柱的形成方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成鳍片，包括：

在所述衬底上形成鳍部层；

在所述鳍部层上沉积所述第一掩膜层；

刻蚀所述鳍部层以形成所述鳍片。

4.根据权利要求2所述的晶体管的鳍柱的形成方法，其特征在于，所述在所述鳍片上植入鳍片填充物形成填充区之前，还包括：在所述鳍片两侧沉积鳍柱牺牲片。

5.根据权利要求4所述的晶体管的鳍柱的形成方法，其特征在于，在所述鳍片两侧沉积鳍柱牺牲片包括：

在所述鳍片周侧沉积牺牲材料层；

在所述牺牲材料层上沉积第二掩膜层；

刻蚀所述牺牲材料层，去除所述牺牲材料层上所述第二掩膜层在所述牺牲材料层上的投影区域外的部分形成所述鳍柱牺牲片。

6.根据权利要求5所述的晶体管的鳍柱的形成方法，其特征在于，在形成所述晶体管的鳍柱后，还包括：移除所述鳍柱牺牲片。

7.根据权利要求5所述的晶体管的鳍柱的形成方法，其特征在于，植入鳍片填充物包括：通过所述鳍柱牺牲片的两侧向所述鳍片内植入所述鳍片填充物。

8.根据权利要求5所述的晶体管的鳍柱的形成方法，其特征在于，所述牺牲材料层的沉积方法为化学气相沉积法；

所述沉积第二掩膜层之前，还包括：对所述牺牲材料层和所述第一掩膜层进行平坦化工艺。

9.根据权利要求1-8任一项所述的晶体管的鳍柱的形成方法，其特征在于，所述鳍片植入物为惰性离子。

10.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括衬底和鳍柱，所述鳍柱位于所述衬底一侧，且在所述鳍柱远离所述衬底的一侧形成有掩膜层，所述掩膜层包括第一掩膜层和/或第二掩膜层；在所述鳍片的长度延伸方向上，所述第一掩膜层至少横跨同一个鳍片上相邻的两个鳍柱；在所述鳍片的宽度延伸方向上，所述第二掩膜层至少横跨两个相邻鳍片上的鳍柱；所述鳍柱基于权利要求1-9中任意一项晶体管的鳍柱的形成方法制备得到。