[发明专利]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201910271660.6 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN109979983B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 李俊育;郭雅佩;陈祖伟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包括:
一基板;以及
多个像素结构,设置于该基板上,其中该些像素结构的至少一个包括:
一主动元件;
一第一电极,与该主动元件电性连接,且具有一第一区及设置于该第一区外的多个凸起;
一堤岸层,设置于该第一电极上,且具有一开口及定义该开口的一侧壁,其中该堤岸层的该开口与该第一电极的该第一区及该些凸起重叠;
一发光层,设置于该第一电极上及该堤岸层的该开口,其中该发光层包括一第一部分及一第二部分,该第一部分设置于该第一电极的该第一区上,该发光层的该第二部分设置于该第一电极的该些凸起与该堤岸层的该侧壁之间,而该发光层的该第二部分的膜厚大于该发光层的该第一部分的膜厚;以及
一第二电极,设置于该发光层上;
其中,该些像素结构的该至少一个包括用以发出一第一色光的一第一像素结构及用以发出一第二色光的一第二像素结构,该第一像素结构的多个凸起以一第一间距排列,该第二像素结构的多个凸起以一第二间距排列,而该第一间距大于该第二间距。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该堤岸层的该侧壁与该第一电极的一表面具有一交界边,而该些凸起彼此隔开且沿着该交界边设置。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该些凸起包括一第一凸起串及一第二凸起串,而该第一凸起串位于该堤岸层的该侧壁与该第二凸起串之间。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该堤岸层的该侧壁包括一第一部分及一第二部分,该侧壁的该第一部分与该第一电极的一表面具有一第一夹角,该侧壁的该第二部分与该第一电极的该表面具有一第二夹角,该第一夹角大于该第二夹角;该侧壁的该第一部分与邻设于该侧壁的该第一部分的该些凸起的一个相隔一第一距离,该侧壁的该第二部分与邻设于该侧壁的该第二部分的该些凸起的另一个相隔一第二距离,而该第二距离小于该第一距离。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该堤岸层的该侧壁包括一第一部分及一第二部分,该侧壁的该第一部分与该第一电极的一表面具有一第一夹角,该侧壁的该第二部分与该第一电极的该表面具有一第二夹角,该第一夹角大于该第二夹角;邻设于该侧壁的该第一部分的该些凸起的一个具有一第一高度,邻设于该侧壁的该第二部分的该些凸起的另一个具有一第二高度,而该第二高度大于该第一高度。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该些像素结构的该至少一个还包括用以发出一第三色光的一第三像素结构,该第三像素结构的多个凸起以一第三间距排列,而该第二间距大于该第三间距。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该堤岸层的该侧壁包括一第一部分及一第二部分,该侧壁的该第一部分与该第一电极的一表面具有一第一夹角,该侧壁的该第二部分与该第一电极的该表面具有一第二夹角,该第一夹角大于该第二夹角;邻设于该侧壁的该第一部分的该些凸起的一个在该基板上的一垂直投影面积大于邻设于该侧壁的该第二部分的该些凸起的另一个在该基板上的一垂直投影面积。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该堤岸层的该侧壁包括一第一部分及一第二部分,该侧壁的该第一部分与该第一电极的一表面具有一第一夹角,该侧壁的该第二部分与该第一电极的该表面具有一第二夹角,该第一夹角大于该第二夹角;邻设于该侧壁的该第二部分的该些凸起的多个凸起排成一第三凸起串及一第四凸起串,而该第三凸起串位于该第四凸起串与该侧壁的该第二部分之间。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该第三凸起串的一个凸起于该基板上的垂直投影面积小于该第四凸起串的一个凸起于该基板上的垂直投影面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的