[发明专利]一种基于反铁磁非磁金属异质结的太赫兹探测器有效
| 申请号： | 201910271495.4 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110044476B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 吴敬;黄志明;李敬波;江林;周炜;姚娘娟;黄敬国;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反铁磁非磁 金属 异质结 赫兹 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于反铁磁非磁金属异质结的太赫兹探测器，包括衬底层(1)、反铁磁材料层(2)、非磁金属材料层(3)、电极层(4)、探测器结构(5)，其特征在于：
所述的太赫兹探测器在衬底层(1)上依次有反铁磁材料层(2)、非磁金属材料层(3)、电极层(4)、探测器结构(5)；
所述的衬底层(1)的材料为高阻硅Si或本征锗Ge；
所述的反铁磁材料层(2)的反铁磁材料为：氧化镍NiO,氧化钴CoO,三氧化二铬Cr2O3,铁酸铋BiFeO3或XFeO3,X代表稀土元素；
所述的非磁金属材料层(3)的非磁金属材料为铂Pt，钨W，钯Pd或钽Ta；
所述的电极层(4)的材料为金Au或铝Al；
所述的探测器结构(5)为在衬底上沉积厚度为3-300nm反铁磁薄膜，而后沉积厚度为3-300nm非磁金属层，最后在非磁金属层两侧沉积电极。
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