[发明专利]半导体装置和电子设备在审
申请号: | 201910271303.X | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN111785694A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 鹿内洋志;鹫谷哲;田中雄季;熊仓弘道;马场良平;山田辽太 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/31;H01L29/06 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王曦;陶海萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具有:
基板;
电极,其形成在所述基板表面;以及
保护膜,其形成在所述基板表面,
其中,在垂直于所述基板表面的方向上,所述电极的横向端部的至少一部分被重叠设置在所述保护膜的横向端部的至少一部分上,
所述保护膜包括层叠形成的非掺杂硅酸盐玻璃(NSG)以及磷硅酸盐玻璃(PSG)。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在所述保护膜的与所述电极的横向端部重叠的端部中,所述磷硅酸盐玻璃的端部被所述非掺杂硅酸盐玻璃覆盖。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述保护膜从所述基板表面起依次为下层非掺杂硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、上层非掺杂硅酸盐玻璃。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
在平行于所述基板表面的方向上,所述下层非掺杂硅酸盐玻璃的外侧的横向端部比所述磷硅酸盐玻璃的外侧的横向端部朝向远离所述电极的方向延伸。
5.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
在平行于所述基板表面的方向上,所述上层非掺杂硅酸盐玻璃的外侧的横向端部在横向上覆盖所述磷硅酸盐玻璃的外侧的横向端部。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述半导体装置还具有:形成于所述基板内的保护环,
其中,在平行于所述基板表面且远离所述电极的方向上,所述磷硅酸盐玻璃的外侧的横向端部不超过所述保护环的横向端部。
7.一种电子设备,其特征在于,该电子设备具有如权利要求1-6中的任一项所述的半导体装置。
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