[发明专利]一种L-丝氨酸分子印迹传感器的制备方法

权利要求书

1.一种L-丝氨酸分子印迹传感器的制备方法，其特征在于：以L-丝氨酸为模板分子，邻苯二胺为功能单体，借助两者之间的分子间作用力，在三电极体系下，采用循环伏安法在金电极表面形成自组装聚合物膜，用洗脱剂洗脱后即可制得L-丝氨酸分子印迹传感器。

2.根据权利要求1所述的一种L-丝氨酸分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，具体方法如下：

将活化预处理后的金电极放入3.0×10^-4mol/L的L-丝氨酸和1.0×10^-2mol/L邻苯二胺混合溶液(V/V，1:1)中浸泡自组装2h，用去离子水冲洗后，在三电极体系下，在-1.0～1.0V电位范围内，扫描速度为100mV/s，运用循环伏安法扫描30圈，在磷酸缓冲溶液(pH＝7.0)中，使邻苯二胺电聚合成膜，用去离子水冲洗电极后，用V(乙醇):V(乙酸)＝1:1洗脱剂洗脱30min即可。

3.根据权利要求2所述的一种L-丝氨酸分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，所述金电极活化预处理方法：将金电极在湿润的金相砂纸上抛光成镜面，浸入V(浓硫酸)：V(30％H₂O₂)＝3:1热的混合溶液中清洗10min，再依次用50％HNO₃溶液、去离子水、无水乙醇清洗电极，超声5min后，在0.5mol/L硫酸溶液中，于-1.0～1.0V电位范围内扫描50圈(扫描速度为50mV/s)，进行循环伏安电化学处理，直到获得稳定的电流响应。

4.根据权利要求1或2任意所述的一种L-丝氨酸分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，所述三电极体系是由金电极、饱和甘汞电极和铂电极构成。

5.根据权利要求1或2任意所述的一种L-丝氨酸分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，所述分子印迹传感器可用于对L-丝氨酸的识别与检测，对L-丝氨酸浓度响应的线性范围为1.0×10^-6～8.0×10^-5mol/L。

6.根据权利要求5所述的一种L-丝氨酸分子印迹传感器的制备方法，其特征在于，所述分子印迹传感器是以铁氰化钾混合溶液为电活性探针，通过测定其电荷传递反应在识别过程中的电流变化，实现对L-丝氨酸的间接检测。