[发明专利]显示面板以及显示装置有效
申请号: | 201910270329.2 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN110112178B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 陆炜 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 以及 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示面板和显示装置,该显示面板和显示装置包括:基板、依次设置在基板上的薄膜晶体管层、像素层以及阴极层,像素层包括多个像素单元,像素单元包括目标子像素,目标子像素与阴极层电性连接,薄膜晶体管层包括多条相互交替平行设置的阴极辅助走线和信号控制走线,目标子像素设置在对应的阴极辅助走线和所述信号控制走线之间,信号控制走线通过传输控制信号,以控制阴极辅助走线与目标子像素之间的导通情况。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及显示器件的制造,具体涉及一种阵显示面板以及显示装置。
背景技术
目前,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电激光显示)显示器分为底发光结构和顶发光结构,后者相比前者具有像素开口率高、像素寿命长的特点。
但是现有的顶发光结构的阴极采用透光材料,因此阴极电阻较高,而高电阻的阴极材料产生的IR Drop效应,即因电流和电阻产生的电压降,如图1所示,IR Drop效应会严重影响显示面板发光的均匀性。
因此,有必要提供一种可以改善顶发光OLED显示面板发光的均匀性的显示面板以及显示装置。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板以及一种显示装置,可以通过控制某处阴极辅助走线与阴极层导通,从而降低该处的电阻、提高该处的亮度,以提高显示面板发光的均匀性,提高显示面板的良品率。
本发明实施例提供一种显示面板,其包括:基板、设置在所述基板上的薄膜晶体管层、设置在所述薄膜晶体管层上的像素层以及设置在所述像素层上的阴极层;
所述像素层包括多个像素单元,所述像素单元包括目标子像素,所述目标子像素与所述阴极层电性连接;
所述薄膜晶体管层包括多条相互交替平行设置的阴极辅助走线和信号控制走线,所述目标子像素设置在对应的所述阴极辅助走线和所述信号控制走线之间,所述信号控制走线用于传输控制信号,所述控制信号用于控制所述阴极辅助走线与所述目标子像素之间的导通情况。
在一实施例中,所述像素单元还包括发光子像素,所述薄膜晶体管层还包括多条栅极线和多条数据线,所述数据线和所述阴极辅助走线、信号控制走线相互平行设置,所述栅极线与所述数据线、阴极辅助走线、信号控制走线相互垂直设置;
所述多条栅极线与所述多条数据线相互垂直设置,每两相邻的所述栅极线和对应的两所述数据线以界定出一发光子像素区域,所述发光子像素区域用于承载所述发光子像素;
所述多条栅极线与所述阴极辅助走线、信号控制走线相互垂直设置,每两相邻的所述栅极线和对应的所述阴极辅助走线、信号控制走线以界定出一目标子像素区域,所述目标子像素区域用于承载所述目标子像素。
在一实施例中,所述发光子像素包括第一发光子像素、第二发光子像素以及第三发光子像素,所述目标子像素设置在所述第一发光子像素与所述第二发光子像素之间或者设置在所述第二发光子像素与所述第三发光子像素之间。
在一实施例中,所述薄膜晶体管层还包括多个薄膜晶体管单元,所述薄膜晶体管单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的输入端连接至所述信号控制走线,所述第二薄膜晶体管的栅极连接至所述第一薄膜晶体管的输出端连接至所述第二薄膜晶体管的栅极,所述第二薄膜晶体管的源极、漏极分别连接至所述阴极辅助走线、目标子像素,所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号;
当所述信号控制走线传输所述第一控制信号时,所述第一控制信号经用于控制所述第一薄膜晶体管的输出端,传输至所述第二薄膜晶体管的栅极,使所述第二薄膜晶体管导通;
当所述信号控制走线传输所述第二控制信号时,所述第二控制信号经所述第一薄膜晶体管,传输至所述第二薄膜晶体管的栅极,使所述第二薄膜晶体管断开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的