[发明专利]植入医疗设备及其充电控制方法有效
| 申请号： | 201910268330.1 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109921494B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李青峰 | 申请（专利权）人： | 北京品驰医疗设备有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00;H02J50/10;A61N1/378 |
| 代理公司： | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人： | 苏雪雪 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 植入 医疗 设备 及其 充电 控制 方法 | ||
1.一种植入医疗设备充电控制方法，其特征在于，包括：在充电过程中获取植入装置的温度，若所述温度未超过温度阈值，则计算所述植入装置的发热损耗，比对所述发热损耗和损耗阈值，并根据比对结果调整体外装置的激励电磁场强度，以及根据所述比对结果调整所述损耗阈值；所述根据所述比对结果调整所述损耗阈值，包括：当所述发热损耗未超过所述损耗阈值，且未超过所述损耗阈值与第二回差量的差值时，增大所述损耗阈值；
若所述温度超过温度阈值，则降低体外装置的激励电磁场强度，并降低所述损耗阈值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据比对结果调整体外装置的激励电磁场强度，包括：当所述发热损耗超过损耗阈值时，降低体外装置的激励电磁场强度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述比对结果调整所述损耗阈值，包括：当所述发热损耗超过损耗阈值时，保持所述损耗阈值不变。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据比对结果调整体外装置的激励电磁场强度，包括：当所述发热损耗未超过所述损耗阈值，且未超过所述损耗阈值与第一回差量的差值时，保持体外装置的激励电磁场强度不变。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述比对结果调整所述损耗阈值，包括：当所述发热损耗未超过所述损耗阈值，且未超过所述损耗阈值与第一回差量的差值时，保持所述损耗阈值不变。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据比对结果调整体外装置的激励电磁场强度，包括：当所述发热损耗未超过所述损耗阈值，且未超过所述损耗阈值与第二回差量的差值时，增大体外装置的激励电磁场强度。
7.一种植入式医疗装置的充电设备，其特征在于，包括：至少一个处理器；以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器执行如权利要求1-6中任意一项所述的充电控制方法。
8.一种植入式医疗系统，其特征在于，包括植入装置和体外装置，其中所述体外装置用于根据权利要求1-6中任意一项所述的充电控制方法对所述植入装置进行充电。
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