[发明专利]一维相扫天线阵列在审
| 申请号： | 201910267936.3 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110034383A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 彭树生;王婧雯;吴礼;刘钧 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01Q1/32 | 分类号： | H01Q1/32;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 马鲁晋 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射单元 低副瓣 波束扫描 介质基板 天线阵列 等间距设置 副瓣电平 左右对称 俯仰面 微带线 馈电 串联 平行 扫描 | ||
【权利要求书】：
1.一种一维相扫天线阵列，其特征在于，包括介质基板以及平行等间距设置在介质基板上的N个辐射单元，所述辐射单元单独馈电，通过改变每个辐射单元的激励幅度与相位形成低副瓣波束扫描，所述辐射单元为左右对称的串联微带线阵。
2.根据权利要求1所述的一维相扫天线阵列，其特征在于，相邻两个辐射单元的间距为0.5个波长。
3.根据权利要求1所述的一维相扫天线阵列，其特征在于，所述串联微带线阵包括通过微带线串联的4个辐射贴片。
4.根据权利要求3所述的一维相扫天线阵列，其特征在于，所述辐射贴片的宽度分别为W1＝1.4mm，W2＝0.81mm，长度分别为L1＝1.06mm，L2＝1.08mm，相邻两个辐射贴片的间距分别为：d1＝1.14mm，d2＝1.19mm。
5.根据权利要求1所述的一维相扫天线阵列，其特征在于，所述辐射单元通过等长微带线馈电。
6.根据权利要求1所述的一维相扫天线阵列，其特征在于，所述介质基板介电常数为3.04，厚度为0.127mm，材料为RO3003。
7.根据权利要求1所述的一维相扫天线阵列，其特征在于，N取12。
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