[发明专利]一种基于负折射率超材料的薄膜太阳能电池在审
申请号: | 201910265977.9 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN111785788A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 王霖;金尚忠;周碧颖 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0296;H01L31/0392 |
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地址: | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 折射率 材料 薄膜 太阳能电池 | ||
本发明为一种基于负折射率超材料的薄膜太阳能电池。本发明通过渔网结构的负折射率超材料,改善薄膜太阳能电池对红外线和部分可见光谱的吸收,使得更多的光线到达太阳能电池表面,实现有效的光捕获和高的太阳能电池效率;该结构采用简单的蚀刻技术制造,其渔网结构周期性排布,从而具有大的宽带吸收。本发明渔网结构和薄膜太阳能电池组成的系统,在渔网结构的作用下,薄膜太阳能电池光吸收的带宽变大,提高了薄膜太阳能电池的效率。
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种基于负折射率超材料的薄膜太阳能电池。
背景技术
太阳能的利用有光热转换和光电转换两种方式,太阳能发电是一种新兴的可再生能源。太阳能作为一种取之不尽、用之不竭、清洁环保的能源,近年来得到前所未有的发展,有望成为二十一世纪的主导新能源。太阳能电池是一种利用光生伏特效应将太阳光能直接转化为电能的器件,市场上主流的是晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池,两者各具优劣,晶体硅太阳能电池工艺成熟,光电转换效率相对较高,但材料消耗和电池成本很高;薄膜太阳能电池制备在廉价的衬底上,材料消耗和电池成本很低,但光电转化效率还有待提高。
碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池已经成为太阳能光伏领域中最有竞争力的一种电池,产业化的电池效率已经达到16%以上。但目前碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池要达到较高的转换效率依然困难,这在一定程度上限制了碲化镉(CdTe)薄膜太阳能电池的应用。目前提高碲化镉薄膜太阳电池转换效率主要是提高短波区域的太阳光的利用率和提高近红外区域太阳光的利用。
负折射率超材料(NIMs)是一种具有负介电常数和负磁导率的人工设计材料,近些年一直是电磁、光学、材料等研究领域的一个热点,表现出了一系列自然界材料中不存在的特异性质,诸如完美透镜以及负折射效应等特性。负折射率超材料折射在垂直于表面同一侧的光。当应用于太阳能电池时,更多的光可以被吸收,而不是被太阳能电池反射。通过设计超材料亚波长结构单元及尺寸,可以调控超材料的磁谐振特性,可以使其在一段波长范围的电磁场作用下都产生较强的局域场效应,吸收更多的光。
发明内容
针对现有技术中的问题以及研究现状,本发明提供一种基于负折射率超材料的薄膜太阳能电池。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:一种基于负折射率超材料的薄膜太阳能电池,其特征在于整个系统分为薄膜太阳能电池(1)和渔网结构(2)两部分;不同方向的入射光线通过渔网结构(2)到达薄膜太阳能电池(1)的受光表面。薄膜太阳能电池(1)是碲化镉薄膜太阳能电池,由玻璃衬底(6),透明导电氧化层(7),硫化镉窗口层(8),光吸收层(9)和金属电极(11)构成;所述光吸光层(9)使用碲化镉光伏材料制作,所述碲化镉光伏材料在碲化镉材料表面涂覆了碳纳米管薄膜(10)。渔网结构(2)是由中间的介质板(4)和介质板两侧的金属平板(3)(5)及双连接线组成的,其中两侧的金属平板及双连接线是完全相同的,它是一个十字和一个圆的混合物。
所述的一种基于负折射率超材料的薄膜太阳能电池,其特征在于:薄膜太阳能电池的玻璃衬底是钠钙玻璃覆盖层,硫化镉窗口层的厚度是100~200nm。
所述的一种基于负折射率超材料的薄膜太阳能电池,其特征在于:在碳纳米管薄膜上沉积的金属电极为金Au电极或镍电极。
所述的一种基于负折射率超材料的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述碲化镉光伏材料厚度是5~10μm,碲化镉表面覆盖的碳纳米管薄膜厚度为50~100nm。
所述的一种基于负折射率超材料的薄膜太阳能电池,其特征在于:整个薄膜太阳能电池尺寸是(10~20)*(10~20)cm,其渔网结构有(20~30)*(20~30)个单元,介质板两侧的金属平板(3)(5)的厚度是15~18μm,每个渔网单元周期包含的十字和圆的混合物中,a=5~10mm,厚度t=750~800μm,十字线宽w=1~2mm,圆半径R=2~3mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的