[发明专利]单晶硅薄膜及其制作方法有效
| 申请号： | 201910264767.8 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110098145B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 曲连杰;吕振华 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 薄膜 及其 制作方法 | ||
1.一种制作单晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括：
在第一硅片的第一表面上离子注入形成离子层；
在第二硅片的第二表面上热氧化形成氧化层；
将所述第一硅片与所述第二硅片键合；
对所述键合后的所述第一硅片与所述第二硅片进行退火处理，并剥离所述离子层；
对所述剥离后的单晶硅进行研磨，以获得所述单晶硅薄膜，
形成所述离子层之前，先对所述第一硅片的所述第一表面离子注入第一离子，以在所述第一硅片的一定深度处形成阻挡层，所述第一离子包括O和N中的至少一种；
对所述第一硅片的所述第一表面离子注入第二离子形成离子层，所述离子层位于所述阻挡层朝向所述第一表面一侧，所述第二离子包括H和He中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子层的厚度小于1微米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热氧化为干氧方式和湿氧方式交替进行。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为100～500纳米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述热氧化形成氧化层的步骤之后，所述方法进一步包括：
在所述第二硅片的第四表面形成衬底，所述衬底由聚酰亚胺形成。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合为阳极键合。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合的步骤包括：
将所述第一硅片的所述第一表面与所述第二硅片的所述第二表面键合。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合的步骤包括：
将所述第一硅片的第三表面与所述第二硅片的所述第二表面键合。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为350～500摄氏度。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一硅片和所述第二硅片的形状为长方形。
11.一种单晶硅薄膜，其特征在于，通过权利要求1～10中任一项所述的方法制作的。
12.根据权利要求11所述的单晶硅薄膜，其特征在于，所述单晶硅薄膜的厚度为50～100纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
