[发明专利]一种氧化镓MIS结构紫外探测器

权利要求书

1.一种氧化镓MIS结构紫外探测器，其特征在于：包括

N型β-Ga₂O₃衬底(101)；

在所述N型β-Ga₂O₃衬底(101)正面外延的非故意掺杂β-Ga₂O₃光吸收层(102)；

在所述非故意掺杂β-Ga₂O₃光吸收层(102)正面淀积的肖特基势垒介质阻挡层(103)；

在所述N型β-Ga₂O₃衬底(101)背面制作的欧姆接触电极层(104)；

在所述肖特基势垒介质阻挡层(103)正面制作的半透明肖特基电极(105)；

在所述半透明肖特基电极(105)正面淀积的介质钝化层(106)，所述介质钝化层(106)上刻蚀有能显露半透明肖特基电极(105)的引线孔；

在所述引线孔的位置制作的接触电极(107)，所述接触电极(107)延伸至引线孔内而与半透明肖特基电极(105)连接。

2.根据权利要求1所述的一种氧化镓MIS结构紫外探测器，其特征在于：所述肖特基势垒介质阻挡层(103)为SiO₂层或者Al₂O₃层。

3.根据权利要求1所述的一种氧化镓MIS结构紫外探测器，其特征在于：所述半透明肖特基电极(105)形状为方形、圆形或者叉指型。

4.根据权利要求1所述的一种氧化镓MIS结构紫外探测器，其特征在于：所述半透明肖特基电极(105)选用Ni/Au电极、Pt/Au电极或者石墨烯电极。

5.根据权利要求1所述的一种氧化镓MIS结构紫外探测器，其特征在于：所述介质钝化层(106)为SiO₂层。

6.根据权利要求1所述的一种氧化镓MIS结构紫外探测器，其特征在于：所述N型β-Ga₂O₃衬底(101)的厚度为350μm，其载流子浓度为5×10¹⁷cm^-3，所述非故意掺杂β-Ga₂O₃光吸收层(102)的厚度为1μm，所述肖特基势垒介质阻挡层(103)的厚度为2nm，所述欧姆接触电极层(104)的厚度为2μm，所述半透明肖特基电极(105)的厚度为5nm，所述介质钝化层(106)的厚度为150nm，所述接触电极(107)的厚度为2μm。

7.根据权利要求1所述的一种氧化镓MIS结构紫外探测器，其特征在于：所述欧姆接触电极层(104)、半透明肖特基电极(105)和接触电极(107)均是采用电子束蒸发方法制作而成。