[发明专利]显示设备和制造显示设备的方法在审
申请号: | 201910262274.0 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN110364552A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 松枝洋二郎 | 申请(专利权)人: | 天马日本株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/10 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;胡彬 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 像素线 显示设备 驱动晶体管 发光元件 沟道 制造 | ||
1.一种显示设备,包括:
多个第一类型像素线,每个第一类型像素线由在显示区域中的第一方向上设置的多个第一类型像素组成;以及
多个第二类型像素线,每个第二类型像素线由在所述显示区域中的第一方向上设置的多个第二类型像素组成,
其中,所述多个第一类型像素线和所述多个第二类型像素线被交替设置在垂直于所述第一方向的第二方向上,
其中,每个第一类型像素由在所述第二方向上设置的第一红色子像素和第一蓝色子像素、以及在所述第一方向的相对方向上沿所述第一红色子像素和所述第一蓝色子像素的相对侧设置并且在所述第二方向上在所述第一红色子像素和所述第一蓝色子像素之间的第一绿色子像素组成,
其中,每个第二类型像素由在所述第二方向上设置的第二红色子像素和第二蓝色子像素、以及在所述第一方向上沿所述第二红色子像素和所述第二蓝色子像素的相对侧设置并且在所述第二方向上在所述第二红色子像素和所述第二蓝色子像素之间的第二绿色子像素组成,
其中,所述多个第一类型像素线包括多个第一类型端部像素,每个第一类型端部像素被设置在所述第一方向的相对侧上的端部处以及在所述第二方向上延伸的像素线的第二方向的相对侧上的端部处,
其中,所述多个第二类型像素线包括多个第二类型端部像素,每个第二类型端部像素被设置在所述第一方向的相对侧上的端部处以及在所述第二方向上延伸的像素线的第二方向的相对侧上的端部处,并且
其中,用于所述多个第一类型端部像素的发光元件的驱动晶体管的沟道宽度窄于用于在所述第一方向、所述第一方向的相对方向、所述第二方向和所述第二方向的相对方向的四个方向中由其他像素围绕的内部像素的发光元件的驱动晶体管的沟道宽度。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,用于所述多个第一类型端部像素中的驱动晶体管的栅极电压和用于所述内部像素中的驱动晶体管的栅极电压响应于相同的输入画面信号而是相同的。
3.根据权利要求1所述的显示设备,
其中,所述多个第一类型端部像素包括第一个第一类型端部像素和第二个第一类型端部像素,
其中,在所述第二方向上与所述第一个第一类型端部像素相邻的第二类型像素被设置在所述第一方向的相对侧上的第二类型像素线的端部处,
其中,在所述第二方向上与所述第二个第一类型端部像素相邻的第二类型像素与在所述第一方向的相对侧上设置的另一第二类型像素相邻,并且
其中,所述第一个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度窄于所述第二个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述多个第二类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度宽于所述多个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述多个第二类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度等于所述内部像素中的驱动晶体管的沟道宽度。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,在所述多个第一类型端部像素中由两个端部处的第一类型端部像素夹在中间的第一类型端部像素的绿色子像素位于比连接所述两个端部处的第一类型端部像素的绿色子像素的直线更靠外处。
7.根据权利要求6所述的显示设备,
其中,所述多个第一类型端部像素包括第一个第一类型端部像素和第二个第一类型端部像素,
其中,连接所述第一个第一类型端部像素与所述第一个第一类型端部像素的两侧上的第一类型端部像素的直线之间的角度小于连接所述第二个第一类型端部像素与所述第二个第一类型端部像素的两侧上的第一类型端部像素的直线之间的角度,并且
其中,所述第一个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度窄于所述第二个第一类型端部像素中的驱动晶体管的沟道宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的