[发明专利]微型LED中表面重组损失的减少

权利要求书

1.一种方法，其包括：

通过在半导体层的外部区域中植入离子并且随后对所述半导体层的所述外部区域进行退火以使所述离子与原子在所述半导体层的所述外部区域内混合来增大所述半导体层的所述外部区域中的带隙，其中：

所述半导体层包括有源发光层，

所述半导体层的光输出耦合表面的直径小于10μm，并且

所述半导体层的所述外部区域从所述半导体层的外表面延伸到所述半导体层的中心区域，所述中心区域在植入所述离子期间被掩模遮蔽。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体层还包括与所述光输出耦合表面相邻的n侧半导体层和与所述有源发光层相对的p侧半导体层。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述离子从所述p侧半导体层的顶部表面植入到所述半导体层内的大约460nm的深度。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述离子从所述p侧半导体层的顶部表面植入到所述有源发光层内的深度。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述离子包括Al离子。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述半导体层的所述外部区域中的Al浓度在0.3至0.5之间。

7.如权利要求5所述的方法，其中，所述离子具有大约400keV的植入能量。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述离子相对于垂直于所述掩模的平面的轴以在0°至7°之间的角度植入。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述掩模包括金属、抗蚀剂或硬掩模中的至少一者。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述金属的厚度小于1000nm，所述抗蚀剂的厚度小于2500nm，而所述硬掩模的厚度小于800nm。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体层的所述外部区域具有横截面环形形状。

12.一种发光二极管，其包括：

半导体层，其包括有源发光层，其中：

所述半导体层的光输出耦合表面的直径小于10μm，

所述半导体层的外部区域中的带隙大于所述半导体层的中心区域中的带隙，并且

所述半导体层的所述外部区域包括植入所述半导体层的所述外部区域中并与原子在所述半导体层的所述外部区域内混合的离子。

13.如权利要求12所述的发光二极管，其中，所述半导体层还包括与所述光输出耦合表面相邻的n侧半导体层和与所述有源发光层相对的p侧半导体层。

14.如权利要求13所述的发光二极管，其中，所述离子从所述p侧半导体层的顶部表面植入到所述半导体层内的大约460nm的深度。

15.如权利要求13所述的发光二极管，其中，所述离子从所述p侧半导体层的顶部表面植入到所述有源发光层内的深度。

16.如权利要求12所述的发光二极管，其中，所述离子包括Al离子。

17.如权利要求16所述的发光二极管，其中，所述半导体层的所述外部区域中的Al浓度在0.3至0.5之间。

18.如权利要求12所述的发光二极管，其中，所述半导体层的所述外部区域具有横截面环形形状。