[发明专利]阵列基板、其制备方法及数字微流控芯片

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板应用于数字微流控芯片中；所述阵列基板的制备方法包括：在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极的图形；其中，所述光电二极管和所述透明驱动电极相互绝缘，所述光电二极管采用微转印工艺形成在所述衬底基板上；

所述在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极的图形，具体包括：在衬底基板上形成多个所述光电二极管；

在形成有所述多个光电二极管的衬底基板上形成多个所述透明驱动电极的图形；

所述在衬底基板上形成多个所述光电二极管，具体包括：

在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层的图形；其中，所述阳极形成于所述硅基衬底与所述光电转换层之间；

通过所述微转印工艺将所述多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在所述衬底基板上；其中，所述阳极形成于所述光电转换层与所述衬底基板之间；

在形成有所述多个光电二极管的阳极和光电转换层的衬底基板上形成第一平坦化层的图形；其中，所述第一平坦化层在所述衬底基板的正投影与各所述光电二极管的光电转换层在所述衬底基板的正投影无交叠；

在形成有所述第一平坦化层的衬底基板上形成公共透明阴极层，使各所述光电转换层与所述公共透明阴极电连接，以形成光电二极管；或者，

所述在衬底基板上形成多个光电二极管和多个透明驱动电极，具体包括：

在衬底基板上形成多个透明驱动电极的图形；

在形成有所述多个透明驱动电极的衬底基板上形成多个所述光电二极管；

所述形成多个所述光电二极管，具体包括：

在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层；其中，所述光电转换层形成于所述硅基衬底与所述阳极之间；

通过所述微转印工艺将所述多个光电二极管的阳极和光电转换层转印在所述衬底基板上；其中，所述光电转换层形成于所述阳极与所述衬底基板之间，且所述衬底基板预先形成有公共透明阴极，各所述光电转换层与所述公共透明阴极电连接，以形成各光电二极管。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层的图形，具体包括：

在第一硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层；

采用光刻工艺使所述阳极膜层形成多个阳极的图形；

在第二硅基衬底上形成多个导电粘合层的图形；其中，一个导电粘合层与一个所述阳极对应；

将所述第一硅基衬底上的阳极与所述第二硅基衬底上的导电粘合层对接后，去除所述第一硅基衬底；

采用光刻工艺使所述光电转换膜层形成各所述光电二极管中的光电转换层。

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述形成光电二极管之后，在形成多个所述透明驱动电极的图形之前，还包括：在形成有所述光电二极管的衬底基板上形成覆盖所述衬底基板的第二平坦化层；

所述形成多个所述透明驱动电极的图形，具体包括：在所述第二平坦化层背离所述衬底基板的一侧形成各所述透明驱动电极的图形。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在硅基衬底上形成多个光电二极管的阳极和光电转换层，具体包括：

在第三硅基衬底上依次形成光电转换膜层与阳极膜层；其中，光电转换膜层形成于第三硅基衬底与阳极膜层之间；

采用光刻工艺使所述光电转换膜层形成多个所述光电转换层的图形，以及使所述阳极膜层形成多个所述阳极的图形。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述形成多个透明驱动电极的图形，具体包括：在所述衬底基板背离所述光电二极管的一侧形成各所述透明驱动电极的图形。

6.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-5任一项所述的制备方法制备成。

7.一种数字微流控芯片，其特征在于，包括：如权利要求6所述的阵列基板。