[发明专利]一种闪存主控模块中写入错误的冗余备援保护方法

说明书

本发明公开了一种闪存主控模块中写入错误的冗余备援保护方法，包括如下步骤：步骤一、在闪存主控模块内配置冗余备援管理器；步骤二、闪存主控模块在进行页资料写入动作时，冗余备援管理器实时对多个写入页资料组进行运算，并保留运算结果；步骤三、若写入指令失败，冗余备援管理器将已写入闪存的多个页资料与步骤二的运算结果重新计算，得出产生错误的待写入页资料；步骤四、闪存主控模块对产生错误的页资料重新发起写入指令，进行该错误页以及后续页的写入。本发明提供一种闪存主控模块中写入错误的冗余备援保护方法，配置冗余备援管理器，有效节约写入错误处理时间，提高闪存主控模块的写入效能。

技术领域

本发明涉及存储技术，尤其涉及一种闪存主控模块中写入错误的冗余备援保护方法。

背景技术

闪存为非消失性的存储器装置，由块组成，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成。

如图3所示，现行的闪存主控装置在发出读取或写入指令操作时, 倘若发生闪存页写入错误的情形, 主机端会因为其中一个页资料写入失败而整个写指令失败，此时需要全部重试, 由主机端重新启动完整挡案写入指令与流程, 如此一来便会浪费大量的处理时间，严重影响整体主控运作效能。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种闪存主控模块中写入错误的冗余备援保护方法，在闪存主控模块中配置冗余备援控制管理器，在写入失败时从冗余备援控制管理器中还原写入资料，重新对错误页进行写入，无需反馈主机重新发起完整写指令，节约处理时间，提高写入效能。

为实现上述目的，本发明提出如下技术方案：一种闪存主控模块中写入错误的冗余备援保护方法，包括如下步骤：

步骤一、在闪存主控模块内配置冗余备援管理器，分别与闪存主控模块内的闪存页资料控制寄存器及闪存接口控制器连接；

步骤二、闪存主控模块在进行页资料写入动作时，冗余备援管理器实时对多个写入页资料组进行运算，并保留运算结果；

步骤三、若写入指令失败，冗余备援管理器将已写入闪存的多个页资料与步骤二的运算结果重新计算，得出产生错误的待写入页资料；

步骤四：闪存主控模块对产生错误的页资料重新发起写入指令，进行该错误页以及后续页的写入。

优选的，所述步骤一中闪存主控模块内还具有闪存控制物理层及多个闪存存储组件，闪存控制物理层与闪存接口控制器连接，而多个闪存存储组件与闪存控制物理层连接。

优选的，所述步骤二中冗余备援管理器对写入的多个页资料组做异或运算。

优选的，所述步骤三中重新计算步骤为：将已写入的页资料再次读出，与冗余备援管理器中步骤二的运算结果进行反异或运算，得出结果就是写入错误的页资料。

与现有技术相比， 本发明所揭示的一种闪存主控模块中写入错误的冗余备援保护方法，具有如下有益效果：配置冗余备援管理器，实时对写入页资料进行运算，并在出现写入错误后计算出错误页资料，使得主控模块根据计算出的错误页资料重新写入即可，无需反馈至主机进行完整写指令的重新发起，大量节约闪存端也写入指令错误的处理时间，有效的增进主控模块的写入能效。

附图说明

图1是现有技术中内存主控模块的模块图；

图2是本发明实施例中内存主控模块的模块图；

图3是现有技术中内存主控模块写入过程示意图；

图4是本发明实施例中冗余保护下写入过程示意图；

图5是本发明实施例中步骤二的示意图；

图6是本发明实施例中步骤三的示意图；

图7是本发明实施例中步骤四的示意图；