[发明专利]半导体元件的工艺开发方法以及系统

权利要求书

1.一种半导体元件的工艺开发方法，其特征在于，所述半导体元件的工艺开发方法包括：

S1：根据一目标半导体元件取得一初始目标模型；

S2：根据所述目标半导体元件的规格，取得一通用数据库，且所述通用数据库包括多个固定工艺参数；

S3：比对所述初始目标模型与所述通用数据库，以得到一对应关系；

S4：根据所述对应关系，在所述初始目标模型中套用多个所述固定工艺参数，并定义出至少一待设定参数；

S5：根据通过一用户接口所接收的一设定指令，设定至少一所述待设定参数，以产生一待模拟目标模型；以及

S6：以所述待模拟目标模型进行模拟测试，以得到一模拟结果。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的工艺开发方法，其特征在于，所述初始目标模型包括预设的多个参数项目，所述通用数据库包括多个通用参数项目，每一所述通用参数项目对应于至少一所述固定工艺参数，且比对所述初始目标模型与所述通用数据库的步骤包括：比对所述多个参数项目以及所述多个通用参数项目，以决定至少一组相对应的参数项目以及通用参数项目。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的工艺开发方法，其特征在于，所述半导体元件的工艺开发方法还进一步包括：建立所述通用数据库，其中，建立所述通用数据库的步骤包括：

取得制造一第一半导体元件的多个第一工艺步骤；

取得制造一第二半导体元件的多个第二工艺步骤，其中，所述第二半导体元件与所述第一半导体元件具有相同规格，所述第二半导体元件与所述第一半导体元件之间具有相对应的至少一等效子结构；

根据至少一所述等效子结构，比对多个所述第一工艺步骤以及多个所述第二工艺步骤，以定义出在制造所述第一半导体元件与所述第二半导体元件时的一通用工艺步骤，且所述通用工艺步骤用以形成至少一所述等效子结构；以及

根据所述通用工艺步骤，建立一通用工艺模板，且所述通用工艺模板具有多个通用参数项目，每一个所述通用参数项目对应于其中一固定参数值。

4.根据权利要求3所述的半导体元件的工艺开发方法，其特征在于，每一所述第一工艺步骤包括多个第一参数项目，每一所述第一参数项目对应于一第一参数值，每一所述第二工艺步骤包括多个第二参数项目，且建立所述通用工艺模板的步骤还进一步包括：

根据所述等效子结构在所述第一半导体元件内的一相对位置与在所述第二半导体元件内的一相对位置，比对每一个所述第一参数项目与多个所述第二参数项目，以得到一项目对应关系；

根据所述项目对应关系，决定多个通用参数项目，其中，分别对应于所述多个通用参数项目的多个所述第一参数值被定义为多个固定参数值。

5.根据权利要求3所述的半导体元件的工艺开发方法，其特征在于，所述目标半导体元件为所述第一半导体元件与所述第二半导体元件其中一。

6.根据权利要求3所述的半导体元件的工艺开发方法，其特征在于，所述第一半导体元件为垂直式半导体元件，所述第二半导体元件为水平式半导体元件。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的工艺开发方法，其特征在于，所述第一半导体元件为垂直式晶体管，所述第二半导体元件为水平式晶体管。

8.根据权利要求6所述的半导体元件的工艺开发方法，其特征在于，所述第一半导体元件为垂直式金属氧化物半导体场效应晶体管或者垂直式双极性晶体管，所述第二半导体元件为水平式金属氧化物半导体场效应晶体管或者水平式双极性晶体管。

9.根据权利要求1所述的半导体元件的工艺开发方法，其特征在于，所述半导体元件的工艺开发方法还进一步包括：

S7：判断所述模拟结果是否符合一标准结果，当所述模拟结果不符合所述标准结果时，重复执行步骤S5至S7；以及

当所述模拟结果符合所述标准结果时，结束模拟。