[发明专利]有机发光显示面板及制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910252385.3 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN109979982B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 孙艳六 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
基板,所述基板上具有多个发光元件,多个所述发光元件的颜色不完全相同,每个所述发光元件的出光侧均具有颜色与所述发光元件颜色一致的彩膜层,所述彩膜层在远离所述发光元件的一侧具有弧形表面,
在多个所述彩膜层中,与随着出射角度的增大亮度衰减最快的所述发光元件相对应的所述彩膜层的所述弧形表面为凸形的;与随着出射角度的增大亮度衰减最慢的所述发光元件相对应的所述彩膜层的所述弧形表面为凹形的。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述发光元件为红色发光元件、绿色发光元件或者蓝色发光元件,位于所述红色发光元件出光侧的红色彩膜层具有凸形的表面,位于所述绿色发光元件出光侧的绿色彩膜层具有凹形的表面,所述蓝色发光元件出光侧的蓝色彩膜层具有凸形的表面。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述彩膜层的厚度为0.5~5微米,曲率小于0.036。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述凸形的表面以及所述凹形的表面均具有对称中心,所述对称中心处光的出射角为0,
所述凸形的表面的对称中心处的厚度,以及所述凸形的表面的对称中心处的厚度均为预定厚度,所述凸形的表面不同位置处的厚度围绕所述对称中心依次降低,所述凹形的表面不同位置处的厚度围绕所述对称中心依次增高。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述预定厚度为已知的定值,所述预定厚度以及所述不同位置处的厚度,被配置为可令由所述彩膜层在不同出射角处出射的单色光的光强,满足混色后的白光的光强与出射角为0处的白光的光强一致。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述出射角处的所述彩膜层的厚度Hθ满足:
Hθ=H0·cosθ·logT0Tθ,
其中,H0为所述预定厚度,θ为所述出射角的角度,Tθ为所述彩膜层在θ方向上的透过率值。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述彩膜层在θ方向上的透过率值Tθ被配置为可令红色、绿色以及蓝色光在θ方向经所述彩膜层射出后混色形成的白光的色坐标,与所述红色、绿色以及蓝色光在所述对称中心处射出后混色形成的白光的色坐标一致。
8.一种制备有机发光显示面板的方法,其特征在于,所述方法包括:
在基板上设置多个发光元件多个所述发光元件的颜色不完全相同;以及
设置多个彩膜层,所述彩膜层位于所述发光元件的出光侧,且每个所述发光元件均对应有一个颜色与所述发光元件的发光颜色相对应的所述彩膜层,
其中,设置多个所述彩膜层包括:令所述彩膜层在远离所述发光元件一侧形成弧形表面,并令多个所述彩膜层中,与随着出射角度的增大亮度衰减最快的所述发光元件相对应的所述彩膜层的所述弧形表面为凸形的,与随着出射角度的增大亮度衰减最慢的所述发光元件相对应的所述彩膜层的所述弧形表面为凹形的。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述发光元件为红色发光元件、绿色发光元件或者蓝色发光元件,与所述红色发光元件以及所述蓝色发光元件对应的所述彩膜层,均具有凸形的表面,令与所述绿色发光元件对应的所述彩膜层具有凹形的表面,所述凸形的表面以及所述凹形的表面均具有对称中心,所述对称中心处光的出射角为0,所述彩膜层的凸形的表面或者凹形的表面是通过以下步骤形成的:
基于灰度掩膜对色阻层进行刻蚀,并控制所述灰度掩膜不同位置处的透过率,以令形成的所述彩膜层在所述对称中心处的厚度为预定厚度,并令所述彩膜层的不同位置处的厚度围绕所述对称中心依次增大或依次降低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的