[发明专利]电极极片和包含所述电极极片的电化学装置

权利要求书

1.一种阳极极片，其包括阳极主体区和阳极边缘区，

其中所述阳极极片包括阳极基材和在所述阳极基材的至少一个表面上的阳极活性物质；且

其中所述阳极边缘区的直流阻抗值R_A2小于或等于所述阳极主体区的直流阻抗值R_A1的98％。

2.根据权利要求1所述的阳极极片，其中所述阳极边缘区的阳极极片的厚度小于所述阳极主体区的阳极极片的厚度。

3.根据权利要求1所述的阳极极片，其中所述阳极主体区的阳极活性物质的中值粒径Dv50大于所述阳极边缘区的阳极活性物质的Dv50。

4.根据权利要求1所述的阳极极片，其中所述阳极主体区的阳极活性物质包括石墨，且其中所述阳极边缘区的阳极活性物质包括硬碳。

5.根据权利要求1所述的阳极极片，其中所述阳极主体区的阳极活性物质包括Si，且其中所述阳极边缘区的阳极活性物质包括石墨和硬碳的混合物。

6.根据权利要求1所述的阳极极片，其中所述阳极极片还包括导电碳，且其中所述阳极主体区中的导电碳含量小于所述阳极边缘区中的导电碳含量。

7.根据权利要求1所述的阳极极片，其中所述阳极主体区的基材的导电性差于所述阳极边缘区的基材的导电性。

8.根据权利要求1所述的阳极极片，其中所述阳极主体区的基材包括在其表面上涂敷的底涂层，其中所述阳极主体区的底涂层的导电性差于所述阳极边缘区的底涂层的导电性。

9.根据权利要求1所述的阳极极片，其还包括阳极第三区，

其中所述阳极第三区的直流阻抗值R_A3小于或等于所述阳极边缘区的直流阻抗值R_A2。

10.根据权利要求1所述的阳极极片，其还包括阳极第四区，

其中所述阳极第四区包括绝缘材料。

11.一种阴极极片，

其中所述阴极极片包括阴极基材、在所述阴极基材的至少一个表面上的阴极活性物质层以及与所述阴极活性物质层相邻的绝缘层，其中所述阴极活性物质层包括阴极主体区和阴极边缘区；

其中所述阴极边缘区的直流阻抗值R_C2大于所述阴极主体区的直流阻抗值R_C1。

12.根据权利要求11所述的阴极极片，其中所述阴极边缘区的阴极极片的厚度小于所述阴极主体区的阴极极片的厚度。

13.根据权利要求11所述的阴极极片，其中所述阴极主体区的阴极活性物质包括多晶颗粒，所述阴极边缘区的阴极活性物质包括单晶颗粒。

14.根据权利要求13所述的阴极极片，其中所述阴极活性物质包括三元材料。

15.根据权利要求11所述的阴极极片，其中所述阴极主体区的阴极活性物质的Dv50小于所述阴极边缘区的阴极活性物质的Dv50。

16.根据权利要求11所述的阴极极片，其中所述阴极活性物质包括经碳包覆的活性物质，其中所述阴极主体区的活性物质的碳包覆量大于所述阴极边缘区的活性物质的碳包覆量。

17.根据权利要求11所述的阴极极片，其中所述阴极主体区的阴极活性物质包括三元材料，且其中所述阴极边缘区的阴极活性物质包括钴酸锂。

18.根据权利要求11所述的阴极极片，其中所述阴极活性物质层还包括导电碳，且其中所述阴极主体区中的导电碳含量大于所述阴极边缘区中的导电碳含量。