[发明专利]芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

堆叠设置的芯片封装层和温控层；

所述芯片封装层包括：芯片绝缘部、包裹于所述芯片绝缘部中的芯片；所述芯片绝缘部包括至少一个子绝缘层；

所述温控层包括：温控绝缘部、包裹于所述温控绝缘部中的温控单元；所述温控绝缘部包括至少一个子绝缘层；

在垂直于所述芯片绝缘部所在平面的方向上，所述芯片和所述温控单元至少部分交叠；

所述温控单元用于吸收外部热量，或者向外部释放热量；

温感材料层，所述温感材料层包裹于所述温控绝缘部中，且所述温感材料层位于所述芯片与所述温控单元之间；

所述温感材料层上电连接有两个感测端口，所述感测端口用于感测所述温感材料层的环境温度；

温控芯片，所述温控芯片包裹于所述芯片绝缘部中，所述温控芯片和所述温控单元电连接，用于感测环境温度并且控制所述温控单元吸收外部热量、或者向外部释放热量；

所述感测端口通过电连接结构和所述温控芯片电连接。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述温控单元包括第一信号端和第二信号端；

当电流从所述第一信号端流向所述第二信号端时，所述温控单元从环境中吸收热量；

当电流从所述第二信号端流向所述第一信号端时，所述温控单元向环境中释放热量。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，

所述温控单元包括M个子单元，所述子单元包括：第一金属电极部、第二金属电极部、第一N型半导体部、第一P型半导体部、金属桥部；

所述第一N型半导体部的第一端和所述第一金属电极部电连接、第二端和所述金属桥部电连接；

所述第一P型半导体部的第一端和所述第二金属电极部电连接、第二端和所述金属桥部电连接；其中，M为正整数。

4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，

M=1，所述第一金属电极部和所述第一信号端电连接，所述第二金属电极部和所述第二信号端电连接。

5.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，

M≥2，第1个所述子单元的所述第一金属电极部和所述第一信号端电连接，第M个所述子单元的所述第二金属电极部和所述第二信号端电连接；

相邻的两个所述子单元，一者的所述第一金属电极部和另一者的所述第二金属电极部电连接。

6.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：

第一布线层，位于所述芯片背离所述温控层的一侧；所述第一布线层包括第一连接线和第二连接线；

第一连接部和第二连接部；

所述第一连接部的第一端和所述第一信号端电连接、第二端通过所述第一连接线和所述温控芯片电连接；

所述第二连接部的第一端和所述第二信号端电连接、第二端通过所述第二连接线和所述温控芯片电连接。

7.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：

多个金属球，所述金属球和所述温控单元位于所述芯片相对的两侧；

所述芯片包括导电柱，所述导电柱和所述金属球电连接。

8.根据权利要求7所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：

第三连接部和第四连接部；

所述金属球包括第一金属球和第二金属球；

所述第三连接部的第一端和所述第一信号端电连接、第二端和所述第一金属球电连接；

所述第四连接部的第一端和所述第二信号端电连接、第二端和所述第二金属球电连接。