[发明专利]一种双向对称TVS二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种双向对称TVS二极管，其特征在于，包括：

P型衬底；

N型外延层，形成于所述P型衬底上；

P+掺杂区，形成于所述N型外延层表面；

P+穿通区，穿过所述N型外延层，所述P+穿通区的底部与所述P型衬底连接；

氧化层，形成于所述N型外延层之上，所述P+穿通区的表面通过所述氧化层与所述P+掺杂区连接；

金属孔，形成于所述P+穿通区及所述P+掺杂区之上、所述氧化层之间；

钝化层，形成于所述金属层之上；以及

背面金属层，形成于所述P型衬底的背面。

2.如权利要求1所述双向对称TVS二极管，其特征在于，所述钝化层包括氧化层和氮化硅，所述氧化层与金属接触，所述氮化硅形成于所述氧化层之上。

3.如权利要求1所述双向对称TVS二极管，其特征在于，所述背面金属层依次包括钛层、镍层和银层。

4.一种双向对称TVS二极管制造方法，其特征在于，包括：

S1、提供一个P型衬底，在P型衬底上生长N型外延；

S2、在N型外延表面通过干法热氧化生长一层800A的二氧化硅层，然后在650℃～750℃的低温条件下通过低压化学气相淀积的方法生长一层8000A的TEOS二氧化硅，之后通过850℃，40分钟致密化TEOS二氧化硅；

S3、在表面二氧化硅上通过光刻和湿法腐蚀，形成P+穿通区的窗口，然后通过硼注入的方式进行P+穿通区的掺杂，掺杂计量为2.5E16KEV，能量为120kev；掺杂后，在650℃～750℃的低温条件下通过低压化学气相淀积的方法生长一层6000A的TEOS二氧化硅，然后在1250℃N₂条件下推进1个小时；

S4、光刻开出P+有源区的窗口，先用干法刻蚀掉10000A的二氧化硅，然后90℃带胶固化1小时后，再进行湿法腐蚀剩下的氧化层，腐蚀后进行5E15的注入计量，90KEV注入能量的硼注入，注入完成后用LPCVD的方法生长一层6000A的TEOS二氧化硅，然后进行1000℃N₂条件的推进；

S5、通过干法和湿法相结合的方法，先干法腐蚀4500A的氧化层，然后90℃带胶固化1小时后，再湿法腐蚀剩下的氧化层，同时在P+穿通区的12000A TEOS氧化层上和P+有源区6000A TEOS氧化层上进行开孔；

S6、表面淀积金属ALSiCu，厚度为3um；

S7、金属层上长一层钝化层，钝化层有两层结构，一层结构为PSG，第二层结构为氮化硅，通过光刻刻蚀在钝化层上开孔，露出金属引线孔；

S8、将P型衬底背部研磨至150um，然后在P型衬底背面淀积三层金属，分别为2000A钛、3000A镍和8000A银。