[发明专利]芯片封装结构及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201910250244.8 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN109994462B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 周一安;许祖钊;席克瑞;秦锋;刘金娥 申请(专利权)人: 上海天马微电子有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/56;H01L21/768
代理公司: 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 代理人: 于淼
地址: 201201 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:

多个裸芯片,所述裸芯片的一侧设置有多个连接柱;

包封层,所述包封层覆盖所述裸芯片和所述连接柱,且暴露出所述连接柱远离所述裸芯片一侧的表面;

重布线层,所述重布线层位于所述连接柱远离所述裸芯片的一侧,且所述重布线层和所述连接柱电连接;

焊球组,所述焊球组位于所述重布线层远离所述裸芯片的一侧,且所述焊球组包括多个第一焊球,所述第一焊球和所述重布线层电连接;

以及至少一个电子元器件,所述电子元器件设置于所述包封层靠近所述焊球组的一侧;所述电子元器件包括至少一个导电部,所述焊球组还包括至少两个第二焊球;所述第二焊球之间间隔设置,且分别和所述导电部电连接;

沿垂直于所述裸芯片所在平面的方向上,所述电子元器件的正投影位于相邻两个所述裸芯片的正投影之间;

所述重布线层包括至少一层子布线层;

所述子布线层的电阻率为ρ1,所述导电部的电阻率为ρ2;其中,ρ1≤ρ2。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述导电部和所述子布线层同层设置。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述电子元器件为电感,且所述电感的所述导电部为螺旋形状。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述导电部和所述子布线层异层设置。

5.根据权利要求4所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述电子元器件为电阻,且所述电阻的所述导电部为波浪形状。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述焊球组还包括至少一个所述第二焊球;

所述第二焊球通过所述导电部和至少一个所述连接柱电连接。

7.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,

所述多个裸芯片包括至少一个第一裸芯片和至少一个第二裸芯片;

所述子布线层包括第一布线和第二布线,所述第一布线的一端通过所述导电部和所述第二布线的一端电连接;

所述第一布线的另一端和所述第一裸芯片上的所述连接柱电连接,所述第二布线的另一端和所述第二裸芯片上的所述连接柱电连接;或者,所述第一布线的另一端和所述第二裸芯片上的所述连接柱电连接,所述第二布线的另一端和所述第一裸芯片上的所述连接柱电连接。

8.一种芯片封装结构的封装方法,其特征在于,包括:

提供一衬底基板;

提供多个裸芯片,并将所述裸芯片贴附在所述衬底基板上;其中,所述裸芯片的一侧设置有多个连接柱;

形成包封层,所述包封层覆盖所述裸芯片和所述连接柱;

对所述包封层进行研磨,暴露出所述连接柱远离所述裸芯片一侧的表面;

形成重布线层和至少一个电子元器件;所述重布线层包括至少一层子布线层;所述电子元器件包括至少一个导电部;所述子布线层的电阻率为ρ1,所述导电部的电阻率为ρ2;其中,ρ1≤ρ2;其中,所述重布线层位于所述连接柱远离所述裸芯片的一侧,且和所述连接柱电连接;沿垂直于所述裸芯片所在平面的方向上,所述电子元器件的正投影位于相邻两个所述裸芯片的正投影之间;

在所述重布线层远离所述裸芯片的一侧形成焊球组;其中,所述焊球组包括多个第一焊球,所述第一焊球和所述重布线层电连接,在衬底基板边缘区域设置第二焊球。

9.根据权利要求8所述的封装方法,其特征在于,

所述形成重布线层和至少一个电子元器件之后,还包括:

将所述衬底基板剥离;

在所述包封层远离所述重布线层的一侧形成保护层,且所述保护层覆盖所述裸芯片。

10.根据权利要求9所述的封装方法,其特征在于,

所述包封层和所述保护层均采用注塑工艺形成。

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