[发明专利]具有栅极隔离层的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一沟道区和第二沟道区，所述第一沟道区和所述第二沟道区从衬底突出并且在第一方向上延伸；

第一栅极，其位于所述第一沟道区上；

第二栅极，其位于所述第二沟道区上，其中，所述第一栅极和所述第二栅极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸并且在所述第二方向上彼此间隔开；

第一栅极绝缘层，其位于所述第一栅极和所述第一沟道区之间；

第二栅极绝缘层，其位于所述第二栅极和所述第二沟道区之间；以及

栅极隔离层，其位于所述第一栅极和所述第二栅极之间，

其中，所述栅极隔离层与所述第一栅极和所述第二栅极接触，并且包括在所述栅极隔离层中的间隙，

其中，所述栅极隔离层在所述第二方向上的第一宽度大于所述栅极隔离层在所述第二方向上的第二宽度，

其中，所述栅极隔离层在所述第二方向上的第三宽度小于所述栅极隔离层的所述第一宽度，并且

其中，在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上，所述第一宽度在所述第二宽度和所述第三宽度之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层利用所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间的所述栅极隔离层彼此间隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隙的顶端处于比所述第一沟道区的顶端更高的水平。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一栅极绝缘层在所述第一栅极的第一侧表面和第二侧表面上，并且

其中，所述第二栅极绝缘层在所述第二栅极的第一侧表面和第二侧表面上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：器件隔离层，所述器件隔离层在所述第一沟道区和所述第二沟道区之间的沟槽中，

其中，所述第一栅极绝缘层在所述第一栅极与所述器件隔离层之间，

其中，所述第二栅极绝缘层在所述第二栅极与所述器件隔离层之间，

其中，所述器件隔离层的上部包括凹部，

其中，所述栅极隔离层的一部分位于所述凹部中，并且

其中，所述栅极隔离层的底端处于比所述器件隔离层的顶端更低的水平。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述间隙的底端处于比所述器件隔离层的所述顶端更低的水平。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述间隙包括具有椭圆形形状的气隙，并且

其中，所述气隙的中部在所述第二方向上比所述气隙的上部和下部更宽。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极隔离层的侧壁包括多个凸起。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括分别在所述第一栅极和所述第二栅极上的第一覆盖层和第二覆盖层，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层在所述第二方向上利用所述第一覆盖层和所述第二覆盖层之间的所述栅极隔离层彼此间隔开，

其中，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的相应底端之间的宽度大于所述第一覆盖层和所述第二覆盖层的相应顶端之间的宽度，并且所述间隙的顶端处于比所述第一覆盖层的所述底端和所述第二覆盖层的所述底端更高的水平。

10.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括从所述衬底突出的沟道区；

栅极线，其位于所述沟道区的第一侧表面和第二侧表面上；

栅极隔垫物，其位于所述栅极线的第一侧表面和第二侧表面上；以及

栅极隔离层，其位于栅极切口区中，所述栅极隔离层将所述栅极线的第一部分与所述栅极线的第二部分隔开，

其中，所述栅极隔离层与所述栅极线接触并且包括在所述栅极隔离层中的间隙，

其中，所述间隙的第一宽度大于所述间隙的第二宽度，

其中，所述间隙的第三宽度比所述第一宽度窄，并且

其中，所述第一宽度在所述第二宽度和所述第三宽度之间。