[发明专利]单晶PERC电池背钝化结构

说明书

本发明涉及单晶PERC电池背钝领域。单晶PERC电池背钝化结构，单晶PERC电池生产，按照清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、背面钝化、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、印刷，背面钝化过程为，首先在硅片背面通过PECVD的方式在温度450℃下沉积1‑3nm厚的氮氧化硅层，然后在氮氧化硅层上通过PECVD的方式在温度450℃下沉积6‑8nm厚的氧化铝层，最后再在氮氧化硅层上通过PECVD的方式在温度450℃下沉积100‑120nm的氮化硅层。

技术领域

本发明涉及单晶PERC电池背钝领域。

背景技术

单晶PERC电池目前占据着60%以上的市场，效率也在逐步提升，包括选择性发射极的推广，但进一步的提效方向并不明朗， 所谓接触钝化技术从工艺复杂性、成本角度考虑，批量应用的时机不成熟。单晶PERC电池目前的技术路线中，主要的背钝化技术有氧化铝和氮氧化硅，两者的钝化方式存在差异，但本身提效幅度与后期的可靠性相差不大。将氧化铝和氮氧化硅分别钝化后并没使单晶PERC电池效率得到明显提升，并且工艺成本显著增加，所以人们认为没必要选择两种方式进行钝化，只需选择其一即可。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：如何通过背钝化进一步提升单晶PERC电池的效率。

本发明所采用的技术方案是：单晶PERC电池背钝化结构，单晶PERC电池生产，按照清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、背面钝化、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、印刷，背面钝化过程为，首先在硅片背面通过PECVD的方式在温度450℃下沉积1-3nm厚的氮氧化硅层，然后在氮氧化硅层上通过PECVD的方式在温度450℃下沉积6-8nm厚的氧化铝层，最后再在氮氧化硅层上通过PECVD的方式在温度450℃下沉积100-120nm的氮化硅层。

本发明的有益效果是：另辟蹊径找出了一种不同的提效方向，利用当前氧化铝与氮氧化硅背钝化，通过分析测试，建立一种新的电池背钝化结构模型，此电池模型具备两种背钝化的优势，叠加后效率得到进一步提升。采用本发明方法叠加钝化层，PERC单晶电池片效率可再提升0.3%以上。

具体实施方式

实施例1

整个工艺流程按照现有的电池生产工艺，清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、背面氮氧化硅钝化、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、印刷，制得的100片单晶PERC电池，其平均光转换效率为19.8%。

实施例2

背面采用氧化铝钝化，其它工艺与实施例1完全相同，制得的100片单晶PERC电池，其平均光转换效率为19.9%。

实施例3

背面采用叠加钝化，其它工艺与实施例1完全相同，制得的100片单晶PERC电池，其平均光转换效率为20.3%。

其中叠加钝化的具体步骤为

首先利用PECVD的方式沉积氮氧化硅层。沉积温度450℃，沉积压力1700mTorr，硅烷流量600-800sccm，笑气流量300-500sccm，时间50-70s。

利用PECVD的方式沉积氧化铝层。沉积射频功率450w，沉积温度350-450℃，沉积压力10-12pa，TMA流量300-400sccm，氧气流量400-500sccm，氮气流量350-400sccm，沉积时间8-10s。

利用PECVD的方式沉积氮化硅层。沉积射频功率9000w，沉积温度450-480℃，沉积压力1700mtorr，氨气流量6.8slm，硅烷流量680sccm，沉积时间800-950s。