[发明专利]柔性电子器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910247710.7 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN110098328A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张敏;杜春晖;黄秋月 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L51/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 沈超 |
| 地址： | 518071 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性电子器件 掩膜版 图形化 滤膜 柔性材料 真空抽滤 带孔 多层 去除 制备 申请 制造 | ||
1.一种制备柔性电子器件的方法，包括
准备带孔的柔性滤膜；
准备一个或多个经图形化的掩膜版；
通过真空抽滤在所述经图形化的掩膜版和所述滤膜上分别形成一层或多层柔性材料；以及
去除所述掩膜版。
2.如权利要求1所述的方法，还包括在所述电子器件的全部结构形成后，填充所述滤膜的孔。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述掩膜版为光刻胶层；所述准备经图形化的掩膜版包括，在所述滤膜上形成光刻胶层，以及对所述光刻胶层进行图形化；
所述去除所述掩膜版包括去除所述光刻胶层。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述柔性材料包括一维或二维材料。
5.如权利要求4所述的方法，其中当所述电子器件为晶体管的时候，所述柔性材料至少包括半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管，和/或石墨烯氧化物。
6.如权利要求1所述的方法，其中对所述经图形化的掩膜版包括与所述电子器件结构对应的图形以及与对准标记对应的图形。
7.如权利要求6所述的方法，其中形成所述柔性材料时，针对所述对准标记图形采用的柔性材料溶液浓度大于形成所述电子器件结构图形的柔性材料溶液浓度。
8.一种柔性电子器件，包括
带有孔的柔性滤膜，以及形成在所述柔性滤膜上的一层或多层柔性材料。
9.如权利要求8所述的电子器件，其中所述柔性材料包括一维或二维材料。
10.如权利要求9所述的电子器件，其中当所述电子件为晶体管时，所述柔性材料至少包括半导体性碳纳米管、金属性碳纳米管和/或石墨烯氧化物。
11.如权利要求8所述的电子器件，其中所述孔的直径范围为0.4-0.5μm，和/或所述孔的密度为0.4-0.5/μm2。
12.如权利要求8所述的电子器件，其中所述滤膜的平均粗糙度为4-5nm。
13.如权利要求11或12所述的电子器件，其中所述滤膜为PET膜。
14.如权利要求10所述的电子器件，其中在石墨烯氧化物上形成的任一其他结构的全部都形成在所述石墨烯氧化物上。
15.一种电路，包括
一个或多个如权利要求8-14任一所记载的电子器件。
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