[发明专利]像素驱动电路及其驱动方法以及显示面板有效
| 申请号: | 201910247440.X | 申请日: | 2019-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN109859686B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
| 发明(设计)人: | 刘利宾;杨倩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周泉 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 驱动 电路 及其 方法 以及 显示 面板 | ||
本公开提供了一种像素驱动电路及其驱动方法和显示面板。所述像素驱动电路包括:发光元件;驱动子电路,电连接到第一节点、第二节点和第三节点;第一发光控制子电路和第二发光控制子电路,所述第一发光控制子电路电连接到发光控制信号线、第一电压信号线和所述第一节点,所述第二发光控制子电路电连接到所述发光控制信号线、所述第三节点和发光元件的第一端;驱动控制子电路,电连接到栅极驱动信号线、数据信号线和所述第一节点;复位子电路,电连接到复位信号线、所述第二节点和所述发光元件的第一端。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体地涉及一种像素驱动电路及其驱动方法以及显示面板。
背景技术
在显示领域,低温多晶硅(Low temperature Polycrystalline Sillicon,LTPS)工艺和氧化物(Oxide)工艺(例如,IGZO工艺)是常用来制造薄膜晶体管(TFT)阵列基板的两种工艺。低温多晶氧化物(Low temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)工艺将LTPS和Oxide两种工艺融合,以期实现更为出色的显示性能。
发明内容
本公开提出了一种像素驱动电路及其驱动方法以及显示面板。
根据本公开的一个方面,提出了一种像素驱动电路。所述像素驱动电路包括:发光元件;驱动子电路,电连接到第一节点、第二节点和第三节点,被配置为在第二节点的电压的控制下将第一节点和第三节点之间的路径导通,并使所述路径中产生用于使发光元件发光的电流;第一发光控制子电路和第二发光控制子电路,所述第一发光控制子电路电连接到发光控制信号线、第一电压信号线和所述第一节点,所述第二发光控制子电路电连接到所述发光控制信号线、所述第三节点和发光元件的第一端,所述第一发光控制子电路和所述第二发光控制子电路被配置为在来自所述发光控制信号线的发光控制信号的控制下,将所述用于使发光元件发光的电流传送到所述发光元件的第一端;驱动控制子电路,电连接到栅极驱动信号线、数据信号线和所述第一节点,被配置为在来自所述栅极驱动信号线的栅极驱动信号的控制下,将来自所述数据信号线的数据信号提供到所述第一节点;复位子电路,电连接到复位信号线、所述第二节点和所述发光元件的第一端,被配置为在来自所述复位信号线的复位信号的控制下,使用所述复位信号对所述第二节点和所述发光元件的第一端进行复位。
在一些实施例中,所述驱动子电路包括驱动晶体管、第一晶体管和存储电容。所述驱动晶体管的控制极电连接到所述第二节点,第一极电连接到所述第一节点,第二极电连接到所述第三节点;所述第一晶体管的控制极电连接到所述栅极驱动信号线,第一极电连接到所述第三节点,第二极电连接到所述第二节点;以及所述存储电容的第一端电连接到所述第一电压信号线,第二端电连接到所述第二节点。所述第一晶体管与所述驱动晶体管是不同类型的晶体管。
在一些实施例中,所述第一发光控制子电路包括第二晶体管,所述第二发光控制子电路包括第三晶体管。所述第二晶体管的控制极电连接到所述发光控制信号线,第一极电连接到所述第一电压信号线,第二极电连接到所述第一节点;所述第三晶体管的控制极电连接到所述发光控制信号线,第一极电连接到所述第三节点,第二极电连接到所述发光元件的第一端。所述第二晶体管和所述第三晶体管与所述驱动晶体管是相同类型的晶体管。
在一些实施例中,所述驱动控制子电路包括第四晶体管。所述第四晶体管的控制极电连接到所述栅极驱动信号线,第一极电连接到所述数据信号线,第二极电连接到所述第二节点。所述第四晶体管与所述驱动晶体管是不同类型的晶体管。
在一些实施例中,所述复位子电路包括第五晶体管和第六晶体管。所述第五晶体管的控制极和第一极共同电连接到所述复位信号线,第二极电连接到所述第二节点。所述第六晶体管的控制极和第一极共同电连接到所述复位信号线,第二极电连接到所述发光元件的第一端。所述第五晶体管和所述第六晶体管与所述驱动晶体管是相同类型的晶体管。
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