[发明专利]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

像素传感电路，包括:

光电二极管，具有第一端及第二端；

第一晶体管，具有控制端、第一端及第二端，其中所述第一晶体管的所述控制端接收重置信号，及所述第一晶体管的所述第一端耦接于所述光电二极管的所述第二端；

第二晶体管，具有控制端、第一端及第二端，其中所述第二晶体管的所述控制端耦接于所述光电二极管的所述第二端；

第三晶体管，具有控制端、第一端及第二端，其中所述第三晶体管的所述控制端接收选行信号，所述第三晶体管的所述第一端耦接于所述第二晶体管的所述第二端；及

电容，耦接于所述光电二极管的所述第二端及所述第一晶体管的所述第二端；

其中，在感测期间，所述第三晶体管与所述第一晶体管截止且所述光电二极管将入射光转为电流；及

在扫描期间，所述第三晶体管接收所述选行信号以导通，所述感测期间的时间长度大于所述扫描期间的时间长度且所述感测期间与所述扫描期间部分重迭。

2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述光电二极管的所述第一端及所述光电二极管的所述第二端之间的压差介于0.5V和1.5V之间。

3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一晶体管的所述控制端及所述第一晶体管的所述第二端之间的压差介于0.5V和2V之间。

4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述电容的电容值介于1.2fF和10fF之间。

5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一晶体管是NMOS晶体管或PMOS晶体管，且所述第三晶体管是NMOS晶体管或PMOS晶体管。

6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一晶体管是NMOS晶体管，且所述第三晶体管是PMOS晶体管。

7.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一晶体管是PMOS晶体管，且所述第三晶体管是NMOS晶体管。

8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第三晶体管具有双闸构造。

9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述重置信号和所述选行信号不同步。