[发明专利]一种制备同质非晶多层膜改变非晶结构异质性的方法

权利要求书

1.一种制备同质非晶多层膜改变非晶结构异质性的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

1)将单晶硅基底分别用丙酮和酒精超声清洗10-15min，经电吹风吹干后，放入超高真空磁控溅射设备基底台上，准备镀膜；

2)将需要溅射的某一种合金靶材安置在靶材座上，通过调整电源的功率为30W～150W，控制靶的溅射速率4-10nm/min；采用高纯氩气作为主要离化气体，保证有效的辉光放电过程；

3)非晶多层结构薄膜的制备采用同一靶材间歇式沉积方式，每沉积2-60min，暂停溅射2-30min，使薄膜和靶材冷却；同时对基底台进行旋转，重复镀制停歇过程，控制镀制总时长，最终达到所需的薄膜厚度和层数，以及相应的调制比。

2.根据权利要求1所述的制备同质非晶多层膜结构的方法，其特征在于，步骤2)中，所述合金靶材采用任何可得到非晶结构的材料。

3.根据权利要求1所述的制备同质非晶多层膜结构的方法，其特征在于，步骤3)中，得到的多层结构是同种组分。

4.根据权利要求1所述的制备同质非晶多层膜结构的方法，其特征在于，步骤2)中，可选用直流电源或者射频电源。

5.根据权利要求1所述的制备同质非晶多层膜结构的方法，其特征在于，步骤3)中，基底台为常温下进行。

6.根据权利要求1所述的制备非晶/非晶多层膜结构的方法，其特征在于，步骤3)中，非晶层单层厚度通过沉积时间进行调节。