[发明专利]OLED显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201910244311.5 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN109979979B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 王坤 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
基板;
像素定义层,设置于所述基板上,所述像素定义层限定出多个子像素区,所述子像素区内设置有有机发光材料,相邻两个所述子像素区之间的所述像素定义层为非像素区;
透光孔,开设于所述像素定义层内,所述透光孔贯穿所述像素定义层;
挡墙,设置于与所述透光孔相隔多个所述子像素区的所述非像素区内;
阴极,覆盖所述挡墙及所述像素定义层;以及
薄膜封装层,设置于所述阴极上,位于所述挡墙内侧的所述子像素区发出的光线部分经过所述挡墙内侧发光面反射到达所述薄膜封装层,并在所述薄膜封装层界面处发生全反射,以射入所述透光孔。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述挡墙为环形的倒梯形结构。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述挡墙的高度为1-10um。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述透光孔内填充有高透材料。
5.根据权利要求4所述的OLED显示面板,其特征在于,所述高透材料的填充高度与所述挡墙顶端保持齐平。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层包括依次设置于所述阴极上的第一无机层、第一有机层及第二无机层。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一无机层的折射率大于所述第一有机层的折射率。
8.一种OLED显示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10:提供一基板;
S20:在所述基板上形成像素定义层,所述像素定义层限定出多个子像素区,相邻两个所述子像素区之间的所述像素定义层形成非像素区;
S30:在所述像素定义层内形成透光孔,所述透光孔贯穿所述像素定义层;
S40:在与所述透光孔相隔多个所述子像素区的所述非像素区内形成挡墙;
S50:在所述子像素区内填充有机发光材料;
S60:在所述挡墙及所述像素定义层上形成阴极;
S70:在所述透光孔内填充高透材料;以及
S80:在所述阴极上制备薄膜封装层;
其中,位于所述挡墙内侧的所述子像素区发出的光线部分经过所述挡墙内侧发光面反射到达所述薄膜封装层,并在所述薄膜封装层界面处发生全反射,以射入所述透光孔。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述薄膜封装层包括依次形成于所述阴极上的第一无机层、第一有机层、第二无机层,其中所述第一无机层的折射率大于所述第一有机层的折射率。
10.根据权利要求8所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述高透材料通过喷墨打印技术填充于所述透光孔内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的