[发明专利]一种太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201910244292.6 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN111834488A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 宋广华;罗骞;傅松楠;陈伟文 | 申请(专利权)人: | 福建钜能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L21/306 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 351111 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:
提供入光面、背光面已沉积好导电膜层和种子层的硅片;
在硅片的入光面和背光面分别涂布上光刻胶;
对涂布光刻胶后的硅片进行烘烤固化;
对烘烤固化后的硅片进行化学药液浸泡,去除硅片背光面边缘及侧面的导电膜层和种子层,实现电池N、P面绝缘;
对绝缘处理后的硅片进行图形转移及金属电极沉积。
2.根据权利要求1所述一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述硅片入光面为N面时,所述背光面则为P面,所述入光面为P面时,所述背光面则为N面。
3.根据权利要求1所述一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述硅片的导电膜层为包括透明导电氧化物层TCO层,厚度为50~200nm,所述种子层为Ag、Cu、AL等中至少一种,厚度为50~150nm。
4.根据权利要求1所述一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述光刻胶的涂布采用丝网印刷、移印、打印、喷涂等方式中的一种形成,光刻胶涂布厚度10-30um。
5.根据权利要求1所述一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述光刻胶为抗电镀、耐酸性的感光正型或负型材料,硅片背光面的光刻胶距离硅片四周有0.5-1mm的间隙,入光面的光刻胶可全面积覆盖。
6.根据权利要求1所述一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述光刻胶进行烘烤处理的温度为70~120摄氏度,时间为5~30min。
7.根据权利要求1所述一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述化学药液为ITO蚀刻液、HNO3溶液或HCL溶液等中至少一种,浸泡蚀刻时间为1-5min。
8.根据权利要求1所述一种太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述图像转移采用曝光、显像的方式,所述沉积的金属栅线为Ag、Cu、AL、Ni、Sn其中一种或其合金。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建钜能电力有限公司,未经福建钜能电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910244292.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种快速测试玻璃涂层绝缘性的方法
- 下一篇:多通道WIFI信号收发装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的