[发明专利]III-V族材料和氧化物材料之间的增强键合

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

衬底；

被布置在所述衬底上的掩埋氧化物层；

被布置在所述掩埋氧化物层上的硅层，所述硅层包括蚀刻的垂直通道，所述垂直通道延伸通过所述硅层到所述掩埋氧化物层；

被布置在所述硅层上的氧化物材料，所述氧化物材料延伸到所述硅层中的所述垂直通道中；以及

被布置在所述氧化物材料上的III-V族半导体层，其中在所述III-V族半导体层和所述氧化物材料之间存在的水分子在制造期间被迫使通过所述垂直通道进入所述掩埋氧化物层，从而增强所述III-V族半导体层和所述氧化物材料之间的键合。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述硅层还包括仅部分地延伸到所述硅层中的蚀刻的横向通道，所述氧化物材料延伸到所述硅层中的所述横向通道中，所述横向通道从所述III-V族半导体层的外围的内部横向延伸至所述III-V族半导体层的所述外围的外部。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中：

所述垂直通道跨所述III-V族半导体层的区域以第一重复图案被定位；并且

所述横向通道围绕所述III-V族半导体层的所述外围以第二重复图案被定位。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述垂直通道中的至少一些垂直通道与所述横向通道中的至少一些横向通道交叉。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述氧化物材料在制造期间被施加，然后在制造期间被抛光，以形成被布置在所述硅层上的平坦化的氧化物层。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中：

所述III-V族半导体层被包括在III-V族半导体芯片上；并且

在制造期间，所述III-V族半导体芯片被迫使抵靠所述平坦化的氧化物层，以迫使所述水分子通过所述垂直通道进入所述掩埋氧化物层。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中在制造期间：

所述硅层被蚀刻至第一深度以形成所述横向通道；并且

所述硅层被蚀刻至与所述第一深度不同的第二深度，以在所述硅层中形成波导。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中在制造期间：

所述硅层被蚀刻至第一深度以形成所述横向通道，并且以在所述硅层中形成波导。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述衬底由硅(Si)形成；

所述掩埋氧化物层由二氧化硅(SiO₂)形成；

所述氧化物材料是二氧化硅；并且

所述III-V族半导体层由磷化铟(InP)形成。

10.一种制造集成电路的方法，所述方法包括：

提供绝缘体上硅晶圆，所述绝缘体上硅晶圆包括衬底、被布置在所述衬底上的掩埋氧化物层，和被布置在所述掩埋氧化物层上的硅层；

蚀刻所述硅层的部分以产生延伸通过所述硅层到所述掩埋氧化物层的垂直通道；

在所述硅层上施加氧化物材料，所施加的所述氧化物材料延伸到所述硅层中的所述垂直通道中；

放置III-V族半导体层以与所述氧化物材料接触；以及

迫使所述III-V族半导体层抵靠所述氧化物材料，以迫使在所述III-V族半导体层和所述氧化物材料之间的界面处存在的水分子通过所述垂直通道进入所述掩埋氧化物层，从而增强所述III-V族半导体层和所述氧化物材料之间的键合。