[发明专利]改性ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910242117.3 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN109879607A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 刘志锋;宋庆功;康建海;严慧羽;韩建华 | 申请（专利权）人： | 中国民航大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人： | 庞学欣 |
| 地址： | 300300 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米片阵列 自清洁 疏水 制备 热处理 反应溶液 纳米片 放入 改性 硫代乙酰胺溶液 烘箱 操作工艺 化学处理 清洁性能 乙醇溶液 接触角 硬脂酸 烘干 配制 清洗 配置 | ||
1.一种改性ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括按顺序进行的下列步骤：
(1)将硝酸锌按比例加入到去离子水中并搅拌均匀，在搅拌的过程中加入氨水至溶液的pH值为10，由此制备成ZnO纳米片反应溶液；
(2)将洗净的ITO玻璃放入上述制备好的ZnO纳米片反应溶液中并进行水热处理，由此在ITO玻璃表面形成ZnO纳米片阵列膜；
(3)将上述覆有ZnO纳米片阵列膜的ITO玻璃放入硫代乙酰胺溶液中并进行水热处理，由此在ITO玻璃表面形成ZnO/ZnS纳米片阵列膜；
(4)将上述覆有ZnO/ZnS纳米片阵列膜的ITO玻璃用硬脂酸的乙醇溶液进行化学处理，并放入烘箱中进行烘干，最终在ITO玻璃表面形成所述的ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜。
2.根据权利要求1所述的改性ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述的硝酸锌和去离子水的用量比为1～5g:30～50ml。
3.根据权利要求1所述的改性ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述的水热处理温度为70℃～90℃，处理时间为4h。
4.根据权利要求1所述的改性ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜的制备方法，其特征在于：在步骤(3)中，所述的硫代乙酰胺溶液的浓度为0.1～0.3mol/L，水热处理温度为90℃，处理时间为6～7h。
5.根据权利要求1所述的改性ZnO/ZnS纳米片阵列疏水自清洁膜的制备方法，其特征在于：在步骤(4)中，所述的硬脂酸的乙醇溶液的浓度为0.1～0.3mol/L，化学处理时间为6～12h，烘干温度为80℃，烘干时间为10～15min。
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