[发明专利]屏下摄像组件及相应的终端设备

权利要求书

1.屏下摄像组件，其特征在于，包括：

有机发光二极管显示屏，其显示区域包括屏下摄像区域和非屏下摄像区域；其中所述屏下摄像区域的像素密度设置成小于所述非屏下摄像区域的像素密度；以及

摄像模组，其光轴垂直于所述有机发光二极管显示屏的表面，并且所述摄像模组位于所述屏下摄像区域的后端；所述摄像模组是用于成像的前置摄像头；

其中，所述的有机发光二极管显示屏包括TFT层，在所述屏下摄像区域中，所述TFT层具有多个TFT开关单元，且每个所述TFT开关单元均位于与其对应的像素的发光结构的正下方；以及在所述屏下摄像区域中，所述TFT层还具有多个触点，且每个触点均位于相邻像素之间的间隙处；

在所述屏下摄像区域中，所述像素的上、下表面分别设置阴极层和作为阳极的纳米线，所述阴极层和所述纳米线均延伸至所述相邻像素之间的间隙并在所述间隙接触，并且所述阴极层的对应于所述像素之间间隙的位置具有通光槽；

所述TFT层的所述触点上设置作为过孔的凹槽，所述纳米线和/或所述阴极层附着于所述凹槽的倾斜侧壁；

所述阴极层的上表面覆盖透光材料以形成盖板，并且与所述盖板相同的材料填充所述凹槽并覆盖在附着于所述凹槽的倾斜侧壁的所述纳米线和/或所述阴极层的上表面。

2.根据权利要求1所述的屏下摄像组件，其特征在于，所述屏下摄像区域的像素间距设置成大于所述非屏下摄像区域的像素间距，其中所述的像素间距是所述有机发光二极管显示屏的相邻像素的发光结构之间的间距。

3.根据权利要求1所述的屏下摄像组件，其特征在于，所述的有机发光二极管显示屏包括：所述阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、缓冲层和所述阳极；其中所述发光层被隔离开，形成多个所述的像素。

4.根据权利要求3所述的屏下摄像组件，其特征在于，所述的有机发光二极管显示屏还包括背板薄膜，在所述屏下摄像区域中，所述背板薄膜的对应于所述像素之间间隙的位置具有通光槽。

5.根据权利要求3所述的屏下摄像组件，其特征在于，在所述屏下摄像区域中，所述阳极基于纳米线工艺制作，并且所述阳极附着于所述缓冲层。

6.根据权利要求5所述的屏下摄像组件，其特征在于，所述纳米线为纳米银线。

7.根据权利要求1所述的屏下摄像组件，其特征在于，所述屏下摄像组件还包括：第一控制单元，其用于在所述摄像模组不工作状态下控制所述屏下摄像区域和所述非屏下摄像区域均显示图像；并且在所述摄像模组工作状态下控制所述屏下摄像区域的显示功能关闭。

8.根据权利要求1所述的屏下摄像组件，其特征在于，所述屏下摄像组件还包括第二控制单元，其用于在所述屏下摄像区域和所述非屏下摄像区域均显示图像时，对所述屏下摄像区域的亮度进行补偿。

9.根据权利要求1所述的屏下摄像组件，其特征在于，所述屏下摄像组件还包括第二控制单元，其用于在所述屏下摄像区域和所述非屏下摄像区域均显示图像时，对所述屏下摄像区域的显示参数进行补偿，以使所显示的图像在所述屏下摄像区域和所述非屏下摄像区域之间平缓过渡。

10.根据权利要求1所述的屏下摄像组件，其特征在于，所述屏下摄像区域的像素尺寸与所述非屏下摄像区域的像素尺寸相同。

11.终端设备，其特征在于，包括权利要求1-10中任意一项所述的屏下摄像组件。

12.根据权利要求11所述的终端设备，其特征在于，所述摄像模组作为所述终端设备的前置摄像模组，所述有机发光二极管显示屏作为所述终端设备正面的显示面板。