[发明专利]一种掺镨铌酸锂晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910239631.1 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109763171A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘书强;宋小雨 | 申请（专利权）人： | 焦作科尔光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 焦作市科彤知识产权代理事务所(普通合伙) 41133 | 代理人： | 何贯通 |
| 地址： | 454000 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铌酸锂晶体 制备 烧结 近化学计量比铌酸锂晶体 退火 高发光效率 触发功率 传统配方 原料称量 制备过程 单畴化 可调谐 摩尔比 碳酸锂 镨离子 烘干 混料 磨抛 提拉 切割 掺杂 生长 | ||
1.一种掺镨铌酸锂晶体，其特征在于：所述掺镨铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Pr2O3制成；其中Li2CO3与Nb2O5的摩尔比为49.3～49.6∶50.4～50.7；Pr2O3的掺杂浓度为1.3mol%。
2.一种制备如权利要求1所述的掺镨铌酸锂晶体的方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
S1，按权利要求1所述各组分的配比称取Li2CO3、Nb2O5、Pr2O3的粉料进行烘干，随后进行混料，得到混合料；
S2，将混合料放入坩埚中进行烧结，得到掺镨铌酸锂粉料；
S3，将掺镨铌酸锂粉料用中频感应炉加热，采用提拉法进行晶体生长；
S4，生长后的晶体在1100～1200℃单畴化、退火，经定向、切割、磨抛工序，得掺镨为1.3mol%的铌酸锂晶体。
3.根据权利要求2所述的制备掺镨铌酸锂晶体的方法，其特征在于：所述步骤S3的提拉法的参数为：提拉速度0.2～1mm/h，转速为10～20rpm，气液温差20～30℃，溶体内温度梯度为1～2℃/mm。
4.根据权利要求2所述的制备掺镨铌酸锂晶体的方法，其特征在于：所述步骤S1的烘干过程在150～200℃下恒温烘干2～3h；混料时间为16～24h。
5.根据权利要求2所述的制备掺镨铌酸锂晶体的方法，其特征在于：所述步骤S2将混合料放入坩埚中，在650～850℃的环境中烧结2～3h，使Li2CO3充分分解，再升温至1000～1200℃烧结2～3h得到掺镨铌酸锂粉料。
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