[发明专利]一种原位制备超粗糙薄膜的方法有效
| 申请号： | 201910239106.X | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109943818B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 胡超权;杨忠博;张侃;郑伟涛 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人： | 段红玉 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原位 制备 粗糙 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种原位制备超粗糙薄膜的方法，包括母体材料，其特征在于:母体材料为氮化铪，引入与母体材料不润湿的银原子并施加适当的离子轰击，且制备出的超粗糙薄膜没有改变母体材料的结构；
包括以下步骤：
（1）用丙酮、无水乙醇、蒸馏水依次超声清洗单晶Si衬底，然后吹干，得到靶材备用；
（2）在真空室达到本底真空度后，以高纯铪和高纯银为靶源，氩气和氮气作为放电气体，让高纯铪靶和高纯银靶分别在纯氩气条件下预溅射6 min，用以去除靶材表面的杂质；
（3）将铪靶的射频功率调整为130-180W，银靶的射频功率调整为20-40W，调整溅射总压强，调整靶基距，氮气流速比为3.0%-4.0%，氮气流速比为氮气流速/(氮气流速+氩气流速)，在样品托盘上施加负电压，施加负电压的范围为-20~-50 V；工艺参数调整到预设的条件后，开始采用磁控反应溅射法进行磁控反应溅射，溅射时间为160-300min，溅射结束后即得超粗糙薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种原位制备超粗糙薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（2）的本底真空度为（3-9）×10-4Pa。
3.根据权利要求1所述的一种原位制备超粗糙薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（3）中的溅射总压强为0.5-1.0 Pa。
4.根据权利要求1所述的一种原位制备超粗糙薄膜的方法，其特征在于：所述步骤（3）中的靶基距为65-75 mm。
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