[发明专利]一种PI/PTFE薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201910236474.9 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111748116A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 赵景鑫 | 申请（专利权）人： | 常州福升新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C08J7/043;C08J7/12;C08L79/08;C09D127/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 213352 江苏省溧阳*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pi ptfe 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种PI/PTFE薄膜的制备方法，其包括以下步骤：
(1)对PI薄膜进行表面电晕处理；
(2)在PI薄膜经过表面电晕处理的表面涂覆改性PTFE乳液，并进行高温处理，形成粘合层；
(3)对涂覆好的薄膜表面进行二次电晕处理；
(4)在经过了二次电晕处理后的薄膜表面涂覆PTFE乳液，然后进行高温烧结，得到PI/PTFE薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，步骤(1)中的表面电晕处理的电压为220V，频率为50Hz，功率为1-5KW。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤(2)中，在所述改性PTFE乳液中，所述改性PTFE的重量含量为10％-60％；优选地，所述改性PTFE乳液为日本大金生产的D711乳液。
4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其中，在步骤(2)中，改性PTFE乳液的涂覆厚度为2-5μm。
5.根据权利要求1、3或4所述的制备方法，其中，在步骤(2)中，所述高温处理的温度为350-370℃，时间为1-2min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤(3)中，所述二次电晕处理的电压为220V，频率为50Hz，功率为1-5KW。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤(4)中，在所述PTFE乳液中，所述PTFE的重量含量为20％-60％。
8.根据权利要求1或7所述的制备方法，其中，在步骤(4)中，PTFE乳液的涂覆厚度为5-15μm。
9.根据权利要求1、7或8所述的制备方法，其中，在步骤(2)中，所述高温烧结的温度为350-370℃，时间为1-2min。
10.一种PI/PTFE薄膜，其是通过权利要求1-9任一项所述的方法制备的。
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