[发明专利]三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：堆叠设置的至少两个栅极层；

所述至少两个栅极层中的第一类栅极，包括：

至少一个第一栅极单元，所述第一栅极单元包括由下至上依次层叠的第一个第一介质层、第二介质层、第二个第一介质层和金属栅极层；

所述第二介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述至少两个所述栅极层中的第二类栅极，包括：

至少一个第二栅极单元，所述第二栅极单元包括由下至上层叠的第一介质层和金属栅极层；

所述第二类栅极位于所述第一类栅极的下方。

3.根据权利要求2所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：

通孔，贯穿所述第一类栅极和所述第二类栅极；

外延层，位于所述通孔底部，用于防止所述三维存储器中发生栓锁效应；

多层膜功能层，位于所述通孔侧壁，用于存储电荷。

4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，

所述外延层厚度小于所述第二类栅极的厚度。

5.根据权利要求1至4任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述第二介质层为空气层。

6.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

形成依次层叠的第一个第一介质层、第三介质层、第二个第一介质层和金属栅极层；

去除所述第三介质层以在第一类栅极内形成间隙；

在所述间隙内形成第二介质层，其中，所述第二介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述第一类栅极的下方，形成依次层叠的第一介质层和金属栅极层以形成第二类栅极。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

形成至少一个贯穿第一类栅极和第二类栅极的通孔；

在所述通孔底部形成外延层，用于防止所述三维存储器中发生闩锁效应；

在所述通孔侧壁形成多层膜功能层，用于存储电荷。

9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：形成上下堆叠设置的至少两个介质区域；

形成所述至少两个介质层中的第一介质区域的方法包括：

形成堆叠设置的第一介质层和第四介质层；

形成所述至少两个介质层中的第二介质区域的方法包括：

在所述第一介质区域的上方，形成堆叠设置的第一个第一介质层、第三介质层、第二个第一介质层和第四介质层。

10.根据权利要求6至9任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在所述间隙内形成第二介质层，包括：

使所述间隙内填充空气形成空气层。