[发明专利]显示面板制造方法及其显示面板有效
| 申请号: | 201910235515.2 | 申请日: | 2019-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN110048029B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 陈泽升;龚文亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 及其 | ||
本发明公开一种显示面板,包括显示面板组件、彩膜层、以及多个色阻微结构。所述显示面板组件,包括由下而上依序堆迭设置的基板、阵列层、发光器件层、以及封装层,所述发光器件层中设置有多个像素单元。所述彩膜层,设置在所述封装层上,其中所述彩膜层包括多个色阻,所述多个色阻间相互间隔而设置,且所述多个色阻分别对应所述多个像素单元。所述多个色阻微结构,形成在所述彩膜层的各所述色阻的顶面上,其中所述多个色阻微结构用于增加所述多个像素单元所发出的光的穿过所述彩膜层的所述多个色阻的透过率。
技术领域
本发明是有关于一种显示面板制造方法,特别是有关于一种显示面板制造方法及其显示面板,其使用彩膜层替代偏光板,且所述彩膜层上形成有微阵列结构,藉此提供所述彩膜层的透过率,提升所述显示面板中的有机发光二极管器件的对比度。
背景技术
在显示面板技术中,使用彩膜层(Color Filter,CF)替代偏光板(Polarizer,POL)的技术属于免偏光板(POL-less)技术。POL-less技术不仅能将功能层的厚度从100μm降低至小于5μm,而且能够将发光器件的出光率从42%提高至60%。此外,基于彩膜层的POL-less技术被认为是实现动态弯折产品开发的关键技术之一。彩膜层一般包括红色(Red,R)、绿色(Green,G)、及蓝色(Blue,B)色阻以及黑色矩阵(Black Matrix,BM)。基于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)自发光的特点,色阻需要分别与OLED的红、绿和蓝子像素单元匹配以形成彩膜层功能层。对于旋涂或喷墨打印后的彩膜层,由于其自身的性质,仍然对OLED自发光和环境光存在较高的反射作用。
故,有必要提供一种显示面板制造方法及其显示面板,以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种显示面板制造方法及其显示面板,以解决现有技述的彩膜层型显示面板的透过率低的技术问题。
本发明主要目的在于提供一种显示面板制造方法,包括:
显示面板组件提供步骤,包括提供显示面板组件,其中所述显示面板组件包括由下而上依序堆迭设置的基板、阵列层、发光器件层、以及封装层,所述发光器件层中设置有多个像素单元;
彩膜层设置步骤,包括设置彩膜层到所述封装层上,其中所述彩膜层包括多个色阻,所述多个色阻间相互间隔而设置,且所述多个色阻分别对应所述多个像素单元;
色阻微结构形成步骤,包括形成多个色阻微结构到所述彩膜层的各所述色阻的顶面上,其中所述多个色阻微结构用于增加所述多个像素单元所发出的光穿过所述彩膜层的所述多个色阻的透过率;以及
黑矩阵设置步骤,包括设置黑矩阵到所述封装层上,所述黑矩阵是设置在所述多个色阻之间的间隔内。
在本发明的一实施例中,各所述色阻微结构的尺寸是纳米级。
在本发明的一实施例中,所述色阻微结构形成步骤具体包括以纳米压印方法或是光刻方法,在所述彩膜层的各色阻的所述顶面形成所述多个色阻微结构。
在本发明的一实施例中,各所述色阻微结构为锥形体。
在本发明的一实施例中,各所述色阻微结构为圆锥形体或角锥形体,且各所述锥形体的锥角为等于或大于70度。
本发明另一目的在于提供一种显示面板,包括:
显示面板组件,包括基板、设置在所述基板上的阵列层、设置在所述阵列层上的发光器件层、以及设置在所述发光器件层上的封装层,所述发光器件层包括多个像素单元;
彩膜层,设置在所述封装层上,所述彩膜层包括多个相互间隔设置的色阻,且所述多个色阻分别对应所述多个像素单元;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





