[发明专利]一种制备无机闪烁体膜的方法有效
申请号: | 201910234109.4 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN109991649B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 牛广达;唐江;杨波;杨颖;张慕懿;邓贞宙 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01T1/202 | 分类号: | G01T1/202;C09K11/61 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 许恒恒;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 无机 闪烁 方法 | ||
1.一种制备无机闪烁体膜的方法,其特征在于,该方法是采用近空间升华炉,以AxByXz粉末原料为蒸发源,利用物质升华的原理,先对放有原料和基底的沉积腔体进行抽真空处理,然后在真空环境下对原料和基底进行加热,使AxByXz材料沉积在基底上,从而得到AxByXz无机闪烁体膜;
其中,对于所述的AxByXz粉末原料,A为一价碱金属阳离子;B为Cu,Ag中的任意一种;X为一价卤素阴离子;所述AxByXz粉末原料中,x:y:z满足1:1:2、1:2:3、2:1:3或3:2:5;
所述的原料加热的目标保温温度T2高于所述基底的目标保温温度T0,且所述基底的目标保温温度T0低于AxByXz的熔点;
所述原料的加热处理具体包括以下三个阶段:1)第一次升温过程和保温过程,第一次升温的目标温度T1满足300℃~350℃,升温速率在2.5~3.5℃/s,保温时间在5min~8min;2)第二次升温和保温过程,第二次升温的目标温度T2满足310℃~450℃,升温速率在0.5~2℃/s,保温时间在80min~150min;3)自然冷却降温;
其中,T2T1;
此外,所述基底的加热处理其升温的目标温度T0满足250℃~300℃,所述基底与所述AxByXz粉末原料之间的距离范围在0.5~1cm之间。
2.如权利要求1所述制备无机闪烁体膜的方法,其特征在于,对于所述AxByXz粉末原料,A为Cs,Rb,K三者中的一个或几个;X为Cl,Br,I三者中的一个或几个。
3.如权利要求1所述制备无机闪烁体膜的方法,其特征在于,所述基底的加热处理其升温的目标温度T0所采用的升温速率在2.5-3.5℃/s,保温时间在100min~200min,随后自然冷却降温。
4.如权利要求1所述制备无机闪烁体膜的方法,其特征在于,原料温度到达目标保温温度T2、进而开始保温的时刻不早于基底温度到达目标保温温度T0、进而开始保温的时刻;并且,原料保温阶段结束、进而从目标保温温度T2温度开始下降的时刻不晚于基底保温阶段结束、进而从目标保温温度T0温度开始下降的时刻。
5.如权利要求1所述制备无机闪烁体膜的方法,其特征在于,所述基底为钙钠玻璃、SnO2:F透明导电玻璃(FTO)、In2O3:Sn透明导电玻璃(ITO)、表面镀有ZnO的In2O3:Sn透明导电玻璃、表面镀有ZnMgO的In2O3:Sn透明导电玻璃中的任意一种。
6.如权利要求1-5任意一项所述制备无机闪烁体膜的方法,其特征在于,所述真空环境的气压不超过4Pa。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910234109.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种制作闪烁体阵列的方法
- 下一篇:数字化多路符合测量放射性氙装置