[发明专利]一种GaN功放管电路板组件及电子设备

说明书

一种GaN功放管电路板组件及电子设备，包括：GaN功放管、以及电路板层；其中，所述GaN功放管包括GaN晶体管以及与所述GaN晶体管连接的栅极、漏极、源极，所述GaN功放管的源极接地，所述GaN功放管的栅极连接至栅极电压Vg，所述GaN功放管的漏极连接至漏极电压Vd；所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间设置有至少一个漏极滤波电容，所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端。本申请在添加滤波电容的同时，在电路布局上进行了相应的改进，将所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端，有效降低了大功率GaN功放管漏极调制电压Vd受射频输出信号影响而产生的毛刺，保证了功放管的稳定性。

技术领域

本申请涉及技术，具体地，涉及一种GaN功放管电路板组件及电子设备。

背景技术

目前，航空无线电通信导航识别设备通常在L波段(频率在1-2GHz的无线电波波段)工作于多种模式，例如：空中交通管制、精密测距、塔康、联合战术信息分发系统等。为了满足航空无线电通信导航识别系统多种工作模式的要求，传统上采用的是不同工作模式配置不同工作模块的方式实现。然而，这种方式不仅模块利用率低、抗干扰能力差，还增加了成本和体积。现阶段航空无线电通信导航识别系统逐步趋于小型化和综合化，同时对L波段发射模块的功率要求也更高，对功放管的输出功率要求更大，传统方式已不能满足需求。

现有技术中存在的问题：

航空无线电通信导航识别系统的抗干扰能力差，容易烧毁功放管。

发明内容

本申请实施例中提供了一种GaN功放管电路板组件及电子设备，以解决上述技术问题。

根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种GaN功放管电路板组件，包括：GaN功放管、以及电路板层；其中，

所述GaN功放管包括GaN晶体管以及与所述GaN晶体管连接的栅极、漏极、源极，所述GaN功放管的源极接地，所述GaN功放管的栅极连接至栅极电压Vg，所述GaN功放管的漏极连接至漏极电压Vd；所述漏极的输入端与所述漏极电压Vd之间设置有至少一个漏极滤波电容，所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端。

根据本申请实施例的第二个方面，提供了一种电子设备，包括如上所述的GaN功放管电路板组件。

有益效果：

采用本申请实施例中提供的GaN功放管电路板组件及电子设备，在添加滤波电容的同时，在电路布局上进行了相应的改进，将所述漏极滤波电容靠近于所述GaN功放管的漏极输入端，有效降低了大功率GaN功放管漏极调制电压Vd受射频输出信号影响而产生的毛刺，保证了功放管的稳定性。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示出了本申请实施例中GaN功放管电路板组件的电路布局示意图一；

图2示出了本申请实施例中GaN功放管电路板组件的电路布局示意图二。

具体实施方式

发明人在发明过程中注意到：

目前，大功率GaN(氮化镓，Gallium Nitride)功放管使用过程中，栅极、漏极滤波方式普遍沿用常规的滤波方法，滤除外部的常规高、中、低频干扰信号，而不考虑射频输出信号通过空间辐射或微带耦合对功放管的影响。