[发明专利]声谐振器在审
| 申请号： | 201910229019.6 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110324020A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 乔蒂·斯瓦鲁普·萨杜;格诺特·法廷格;罗伯特·艾格纳;迈克尔·舍费尔 | 申请（专利权）人： | QORVO美国公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电层 耦合器 第二电极 第一电极 声谐振器 极性相反 | ||
1.一种声谐振器，其包括：
·第一压电层，所述第一压电层具有第一极性；
·第二压电层，所述第二压电层具有与所述第一极性相反的第二极性；
·耦合器层，所述耦合器层在所述第一压电层和所述第二压电层之间；
·第一电极，所述第一电极在所述第一压电层上与所述耦合器层相对；以及
·第二电极，所述第二电极在所述第二压电层上与所述耦合器层相对。
2.如权利要求1所述的声谐振器，其中：
·所述耦合器层具有第一声阻抗；并且
·所述第一压电层和所述第二压电层具有第二声阻抗，使得所述第一声阻抗除以所述第二声阻抗大于1.0。
3.如权利要求2所述的声谐振器，其中所述第一声阻抗除以所述第二声阻抗大于1.5。
4.如权利要求2所述的声谐振器，其中所述第一声阻抗除以所述第二声阻抗大于2.0。
5.如权利要求2所述的声谐振器，其中所述第一声阻抗除以所述第二声阻抗大于3.0。
6.如权利要求2所述的声谐振器，其中所述耦合器层为金属层。
7.如权利要求6所述的声谐振器，其中所述第一压电层和所述第二压电层为氮化铝。
8.如权利要求7所述的声谐振器，其中所述第一电极和所述第二电极为钨。
9.如权利要求6所述的声谐振器，其中所述耦合器层为钼、钨和锇中的一种。
10.如权利要求9所述的声谐振器，其中所述第一压电层和所述第二压电层为氮化铝。
11.如权利要求10所述的声谐振器，其中所述第一电极和所述第二电极为钨。
12.如权利要求2所述的声谐振器，其中：
·所述第一压电层和所述第二压电层的厚度在350nm和1050nm之间；并且
·所述耦合器层的厚度在30nm和120nm之间。
13.如权利要求2所述的声谐振器，其中：
·所述耦合器层具有第一厚度；并且
·所述第一电极和所述第二电极具有第二厚度，使得所述第一厚度除以所述第二厚度在0.1和0.4之间。
14.如权利要求13所述的声谐振器，其中：
·所述第一压电层和所述第二压电层的厚度在350nm和1050nm之间；
·所述耦合器层的厚度在30nm和120nm之间；并且
·所述第一电极和所述第二电极的厚度在100nm和300nm之间。
15.如权利要求14所述的声谐振器，其中：
·所述第一压电层和所述第二压电层为氮化铝；
·所述耦合器层为钼、钨和锇中的一种；并且
·所述第一电极和所述第二电极为钨。
16.如权利要求13所述的声谐振器，其中所述第一厚度除以所述第二厚度在0.2和0.3之间。
17.如权利要求16所述的声谐振器，其中：
·所述第一压电层和所述第二压电层的厚度在350nm和1050nm之间；
·所述耦合器层的厚度在30nm和120nm之间；并且
·所述第一电极和所述第二电极的厚度在100nm和300nm之间。
18.如权利要求17所述的声谐振器，其中：
·所述第一压电层和所述第二压电层为氮化铝；
·所述耦合器层为钼、钨和锇中的一种；并且
·所述第一电极和所述第二电极为钨。
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