[发明专利]一种掩模板和拼接曝光方法

权利要求书

1.一种掩模板，其特征在于，包括：

目标曝光图案和补偿曝光图案；

所述补偿曝光图案位于所述目标曝光图案的拼接端；

沿垂直于拼接方向上，所述目标曝光图案具有第一宽度Y0；沿垂直于拼接方向上，所述补偿曝光图案具有第二宽度Y1；

若所述第一宽度Y0与光刻装置的最小分辨能力W满足Y0≥120％W，所述补偿曝光图案邻接于所述目标曝光图案的拼接端，且60％Y0≤Y1≤99％Y0。

2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，70％Y0≤Y1≤90％Y0。

3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，沿所述拼接方向，所述补偿曝光图案具有第一长度X1，1μm≤X1≤5μm。

4.根据权利要求3所述的掩模板，其特征在于，1.5μm≤X1≤2.5μm。

5.根据权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述补偿曝光图案中还设置有第一拼接中心线；在掩模曝光工艺中相互拼接的两个补偿曝光图案的第一拼接中心线重叠。

6.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，沿所述拼接方向，所述第一拼接中心线位于所述补偿曝光图案的所述第一长度X1的二分之一位置处。

7.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述补偿曝光图案的形状可包括半圆形、半椭圆形和多边形中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述补偿曝光图案为轴对称图形，对称轴沿所述拼接方向延伸。

9.一种掩模板，其特征在于，包括：

目标曝光图案和补偿曝光图案；

所述补偿曝光图案位于所述目标曝光图案的拼接端；

沿垂直于拼接方向上，所述目标曝光图案具有第一宽度Y0；沿垂直于拼接方向上，所述补偿曝光图案具有第二宽度Y1；

若所述第一宽度Y0与光刻装置的最小分辨能力W满足100％W≤Y0＜120％W，所述补偿曝光图案包覆于所述目标曝光图案的拼接端，且

10.根据权利要求9所述的掩模板，其特征在于，

11.根据权利要求9所述的掩模板，其特征在于，所述补偿曝光图案包括第一子补偿部分和第二子补偿部分；所述第一子补偿部分在垂直于所述拼接方向上与所述目标曝光图案交叠，所述第二子补偿部分在垂直于所述拼接方向上与所述目标曝光图案邻接；

在所述拼接方向上，所述第一子补偿部分具有第二长度X2，所述第二子补偿部分具有第三长度X3；

其中，0.01μm≤X2≤1μm，50％Y2≤X3≤150％Y2，

12.根据权利要求11所述的掩模板，其特征在于：

0.05μm≤X2≤0.5μm，80％Y2≤X3≤120％Y2。

13.根据权利要求11所述的掩模板，其特征在于：所述第二子补偿部分中还设置有第二拼接中心线，在掩模曝光工艺中相互拼接的两个补偿曝光图案的第二子补偿部分的第二拼接中心线重叠。

14.根据权利要求13所述的掩模板，其特征在于，沿所述拼接方向，所述第二拼接中心线位于所述第二子补偿部分的所述第三长度X3的二分之一位置处。

15.根据权利要求9所述的掩模板，其特征在于，所述补偿曝光图案的形状可包括半圆形、半椭圆形和多边形中的至少一种。

16.根据权利要求9所述的掩模板，其特征在于，所述补偿曝光图案为轴对称图形，对称轴沿所述拼接方向延伸。

17.一种拼接曝光方法，其特征在于，利用如权利要求1-16任一项所述的掩模板进行拼接曝光，以得到曝光图案。