[发明专利]一种Si2

权利要求书

1.一种Si₂Te₃/Si₂Te₃@Si纳米线异质结，其特征在于，Si₂Te₃/Si₂Te₃@Si纳米线异质结由两部分组成：顶端是Si₂Te₃纳米线，呈圆锥状，长度为10um；主干是Si₂Te₃/Si复合纳米线结构，直径为300nm，长度为50um；顶端为Si₂Te₃，主干的核为Si纳米线，外层为Si₂Te₃，形成Si₂Te₃/Si核壳结构。

2.根据权利要求1所述的一种Si₂Te₃/Si₂Te₃@Si纳米线异质结的制备方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤：

(1)首先将碲粉和硅粉置入陶瓷坩埚中；

(2)将步骤(1)的陶瓷坩埚放入石英管炉中；

(3)将含有金颗粒的二氧化硅/硅衬底放置在石英管炉内下游地方；

(4)将石英管炉抽真空至0.1mTorr，并用氮气冲洗，直至将石英管炉内的空气排除干净，再调节石英管炉中的真空度和载气流量；

(5)将石英管炉在20℃min^-1下加热至850℃后停止加热，并保持3-5分钟，然后将衬底迅速冷却至室温。

3.根据权利要求2所述的一种Si₂Te₃/Si₂Te₃@Si纳米线异质结的制备方法，其特征在于，所述碲粉为300目，纯度为99.997％，质量为100毫克；所述硅粉为325目，纯度为99％，质量为100毫克。

4.根据权利要求2所述的一种Si₂Te₃/Si₂Te₃@Si纳米线异质结的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，将所述陶瓷坩埚放入所述石英管炉的中间位置。

5.根据权利要求2所述的一种Si₂Te₃/Si₂Te₃@Si纳米线异质结的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，将含有金颗粒的二氧化硅/硅衬底放置在距离石英管炉中间位置下游10cm处。

6.根据权利要求2所述的一种Si₂Te₃/Si₂Te₃@Si纳米线异质结的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，石英管炉中真空度为9.8Torr，载气流量为15sccm。