[发明专利]溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201910226747.1 申请日: 2017-01-25
公开(公告)号: CN109881166B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 岩田宽;根津敏幸;高桑勇太;冈田直弥;佐藤一平;柴田尚宪;桥本敬一 申请(专利权)人: 京浜乐梦金属科技株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/35;C23C14/56;H01J37/34;H05H1/50
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 胡嵩麟;王海川
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 溅射 阴极 装置 成膜体 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种溅射阴极,其特征在于,所述溅射阴极具有:

溅射靶,所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状、且侵蚀面朝向内侧,并且所述溅射靶的所述长边部的长度与所述一对长边部之间的距离之比为2以上,

永磁铁,所述永磁铁设置在所述溅射靶的外侧,和

磁轭,所述磁轭设置在所述永磁铁的外侧;

由所述永磁铁和所述磁轭形成的磁路以产生在溅射时在所述溅射靶的内表面附近产生沿着该内表面环绕的等离子体的磁力线的方式形成,

所述溅射阴极以在溅射时通过利用所述等离子体中的溅射气体的离子进行溅射而溅射粒子从所述侵蚀面向由所述溅射靶包围的空间的外部飞出的方式构成,

在溅射时被成膜体置于由所述溅射靶包围的空间的外部,使用向由所述溅射靶包围的空间的外部飞出的所述溅射粒子在所述被成膜体上进行成膜。

2.如权利要求1所述的溅射阴极,其特征在于,所述溅射靶的横截面形状具有与相互平行的所述一对长边部垂直的相互相对的一对短边部、或向外侧凸起的相互相对的一对曲面部。

3.如权利要求1或2所述的溅射阴极,其特征在于,所述溅射靶的所述一对长边部之间的距离为50mm以上且150mm以下。

4.如权利要求1或2所述的溅射阴极,其特征在于,所述溅射靶包含构成所述一对长边部的第一平板和第二平板以及构成与所述长边部垂直且相互相对的一对短边部的第三平板和第四平板。

5.如权利要求3所述的溅射阴极,其特征在于,所述溅射靶包含构成所述一对长边部的第一平板和第二平板以及构成与所述长边部垂直且相互相对的一对短边部的第三平板和第四平板。

6.如权利要求4所述的溅射阴极,其特征在于,所述第一平板和所述第二平板包含相互不同的材料。

7.如权利要求5所述的溅射阴极,其特征在于,所述第一平板和所述第二平板包含相互不同的材料。

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