[发明专利]气体分配装置和包括该气体分配装置的衬底处理设备

说明书

提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括衬底卡盘、位于该衬底卡盘上方的喷淋头结构、以及连接于该喷淋头结构的气体分配装置。气体分配装置包括分散容器和位于分散容器上的气体入口部，所述分散容器包括第一分散空间。气体入口部包括第一入口管和第二入口管，第一入口管包括流体连通到第一分散空间的第一入口路径，第二入口管包括流体连通到第一分散空间的第二入口路径。第二入口管围绕第一入口管的侧壁的至少一部分。

相关申请的交叉引用

本申请要求在2018年3月23向韩国知识产权局递交的申请号为10-2018-0033952的韩国专利申请的优先权，通过引用将其公开的内容全部结合于此。

技术领域

本公开的示例性实施例涉及用于均匀喷射气体的气体分配装置和包括该气体分配装置的衬底处理设备。

背景技术

集成电路装置形成于半导体衬底上。该集成电路装置是通过在该半导体衬底上重复地执行半导体制造工艺，例如，沉积工艺及蚀刻工艺而形成的。由于半导体衬底具有大直径，沉积在半导体衬底上的膜的厚度分布特性可能降低，或者蚀刻工艺中的蚀刻分布特性可能降低。

发明内容

根据发明性构思的示例实施例，衬底处理设备可以包括衬底卡盘、位于该衬底卡盘上方的喷淋头结构、以及连接于该喷淋头结构的气体分配装置。气体分配装置可包括分散容器和在分散容器上的气体入口部，所述分散容器包括第一分散空间。气体入口部可包括第一入口管和第二入口管，第一入口管包括流体连通到第一分散空间的第一入口路径，第二入口管包括流体连通到第一分散空间的第二入口路径。第二入口管可围绕第一入口管的侧壁的至少一部分。

根据发明性构思的示例实施例，一种衬底处理设备可以包括被配置成支撑衬底的衬底卡盘、位于该衬底卡盘上方的喷淋头、在喷淋头和衬底卡盘之间的处理空间、以及连接到喷淋头并包括第一分散空间的气体分配装置。该喷淋头可包括第二分散空间、板和多个通孔，该第二分散空间与该第一分散空间连通且具有大于该第一分散空间的容积，所述板位于第二分散空间下方，所述多个通孔穿过所述板并将第二分散空间和处理空间流体连通。气体分配装置可包括：分散容器、气体入口部和分散块，分散容器包括位于其中的第一分散空间，气体入口部位于分散容器上方，分散块连接到分散容器。气体入口部可包括第一入口管和第二入口管，第一入口管中包括位于其中的第一入口路径，第二入口管中包括位于其中的第二入口路径。所述分散体块的侧壁的至少一部分可以相对于所述分散容器的底壁倾斜。

根据发明性构思的示例实施例，一种半导体制造工艺可以包括将半导体衬底安装在衬底卡盘上，以及通过衬底卡盘上方的气体分配装置将工艺气体提供给半导体衬底。该气体分配装置可包括分散容器、分散容器上方的气体入口部、以及连接到分散容器的底壁并具有相对于分散容器的底壁倾斜的侧壁的分散块。气体入口部可包括第一入口管和第二入口管，第一入口管包括第一入口路径，第一入口气体通过第-入口路径，第二入口管包括第二入口路径，第二入口气体通过第二入口路径。

附图说明

图1是根据示例性实施例的衬底处理设备的示意图。

图2A是根据示例性实施例的衬底处理设备的一部分的截面图。

图2B是一透视图，其概念性地示出了根据示例性实施例的衬底处理设备的气体分配装置。

图3是根据示例性实施例的衬底处理设备的气体分配装置的分散容器的一部分的顶视图。

图4是根据示例性实施例的衬底处理设备的一部分的截面图。

图5是根据示例性实施例的衬底处理设备的一部分的截面图。

图6A是根据示例性实施例的衬底处理设备的一部分的截面图。

图6B是根据示例性实施例的衬底处理设备的一部分的截面图。