[发明专利]一种理想二维费米液体系统Bi2

权利要求书

1.一种Bi₂O₂Se单晶的制备方法，其特征在于，包括：

采用化学气相输运法：

a1)制备生长原料：将Bi₂O₃、Bi₂Se₃研磨混合均匀，装入石英管中，在真空条件下固相烧结反应合成多晶Bi₂O₂Se；

a2)Bi₂O₂Se晶体的生长：将步骤a1)制备的多晶Bi₂O₂Se与输运剂混合后装入石英管中，真空下密封，将密封好的石英管放置于两温区的管式炉中，设置生长温度程序，获得Bi₂O₂Se单晶；所述单晶为四方晶系，属于I4/mmm(139)空间群，晶格参数为所述步骤a1)中，原料Bi₂O₃的纯度为95％以上，原料Bi₂Se₃的纯度为95％以上，原料Bi₂O₃、Bi₂Se₃的摩尔比为2:1，石英管的长度为10～20cm，直径为1～3cm；步骤a1)或a2)中，密封方式相同或不同，彼此独立地采用煤气焰、乙炔焰或者氢火焰中的至少一种；步骤a1)中，固相烧结反应的温度为500-700℃，反应时间为3-7天；步骤a2)中，输运剂选自I₂；输运剂的浓度为2～20mg/cm³；步骤a2)中，生长温度程序的设置为：原料端700-600℃，晶体生长端600-500℃；生长周期为7-15天；所述Bi₂O₂Se单晶具有基本上如图1(b)所示的XRD图谱。