[发明专利]片式爆炸箔的制备方法有效
| 申请号: | 201910223251.9 | 申请日: | 2019-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN109945746B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | 李鸿高;朱朋;郑国强;姚艺龙;宋泽润 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号: | F42B3/195 | 分类号: | F42B3/195 |
| 代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 金凯 |
| 地址: | 230088 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 爆炸 制备 方法 | ||
1.一种片式爆炸箔的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
a、在基板上沉积第一复合金属膜作为换能元,所述第一复合金属膜依次包括黏附层、功能层和保护层,所述黏附层沉积在所述基板上,所述黏附层为WTi、Ti、Cr、NiCr中的一种,所述功能层为Cu或Al,所述保护层为Au;
b、采用光刻工艺,刻蚀所述第一复合金属膜,制备换能元图形阵列;
c、所述第一复合金属膜上采用化学气相沉积法沉积复合聚合物薄膜,在所述聚合物薄膜上沉积第二复合金属膜,制成聚合物/金属复合飞片层,所述聚合物薄膜为Parylene膜;
d、采用光刻工艺,刻蚀所述第二复合金属膜,制备金属飞片图形阵列;
e、使用环氧型光刻胶,采用光刻工艺制成加速膛;
f、采用热处理工艺,固化所述加速膛;
g、采用激光刻蚀工艺刻蚀所述聚合物薄膜,将爆炸箔焊盘区露出;
h、将片式爆炸箔图形阵列分割成至少两个小单元。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤a中,所述基板为陶瓷基板或玻璃基板。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤a中,所述第一复合金属膜的厚度为1~8μm。
4.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤c中,所述聚合物薄膜的厚度为5~50μm。
5.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤c中,所述第二复合金属膜的厚度为0.2~4μm,其依次包括黏附层、功能层和保护层,所述黏附层沉积在所述聚合物薄膜上。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述黏附层为WTi、Ti、Cr、NiCr中的一种,所述功能层为Cu或Al,所述保护层为Au。
7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤e中,所述环氧型光刻胶为Su8光刻胶,所述加速膛的厚度为100~800μm,所述加速膛的孔径为200~1200μm。
8.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤f中,所述热处理工艺的温度为100~250℃,时间为30~120min。
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