[发明专利]显示装置、驱动背板、晶体管器件及其制造方法

说明书

本公开提供一种显示面板、驱动背板、晶体管器件及其制造方法，涉及显示技术领域。该晶体管器件包括设于一衬底同一侧的薄膜晶体管、隧穿晶体管、第一电极和第二电极。薄膜晶体管包括第一有源层和第一栅极，第一有源层包括第一沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区分隔于第一沟道区的两侧；第一栅极与第一沟道区正对设置。隧穿晶体管包括第二有源层和第二栅极，第二有源层包括第二沟道区、第三掺杂区和第四掺杂区，第三掺杂区和第四掺杂区分隔于第二沟道区的两侧且掺杂类型不同，第二掺杂区与第三掺杂区连接且掺杂类型一致；第二栅极与第二沟道区正对设置。第一电极与第一掺杂区连接；第二电极与第四掺杂区连接。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示装置、驱动背板、晶体管器件及晶体管器件的制造方法。

背景技术

在显示面板中，薄膜晶体管是十分常见的驱动器件，一般包括低温多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管等，其中，低温多晶硅薄膜晶体管因其具有较高的迁移率和稳定性，因而应用较为广泛。目前，薄膜晶体管存在漏电流较大的问题，影响驱动的正常进行，影响显示效果。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种显示装置、驱动背板、晶体管器件及晶体管器件的制造方法，可减小漏电流，保证显示效果。

根据本公开的一个方面，提供一种晶体管器件，包括设于一衬底同一侧的薄膜晶体管、隧穿晶体管、第一电极和第二电极，其中：

所述薄膜晶体管包括第一有源层和第一栅极，所述第一有源层包括第一沟道区、第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区分隔于所述第一沟道区的两侧；所述第一栅极与所述第一沟道区正对设置；

所述隧穿晶体管包括第二有源层和第二栅极，所述第二有源层包括第二沟道区、第三掺杂区和第四掺杂区，所述第三掺杂区和第四掺杂区分隔于所述第二沟道区的两侧且掺杂类型不同，所述第二掺杂区与所述第三掺杂区连接且掺杂类型一致；所述第二栅极与所述第二沟道区正对设置；

所述第一电极与所述第一掺杂区连接；

所述第二电极与所述第四掺杂区连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一有源层和所述第二有源层为同一半导体层的不同部分，所述第二掺杂区与所述第三掺杂区均位于所述第一沟道区和所述第二沟道区之间。

在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管器件还包括：

栅绝缘层，覆盖所述半导体层，所述第一栅极和所述第二栅极位于所述栅绝缘层远离所述半导体层的表面；

介电层，覆盖所述栅绝缘层、所述第一栅极和所述第二栅极；

所述第一电极和所述第二电极均设于所述介电层远离所述栅绝缘层的表面，且所述第一电极通过第一过孔与所述第一掺杂区连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述第四掺杂区连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管器件还包括：

栅绝缘层，覆盖所述第一有源层，所述第一栅极位于所述栅绝缘层远离所述第一有源层的表面；

介电层，覆盖所述栅绝缘层和所述第一栅极；

连接层，设于所述介电层远离所述栅绝缘层的表面，且通过连接过孔与所述第四掺杂区连接；所述第二有源层设于所述连接层远离所述介电层的表面，且所述第三掺杂区、所述第二沟道区和所述第四掺杂区沿远离所述连接层的方向依次层叠；