[发明专利]半导体器件和制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供第一半导体管芯；

在载体上设置所述第一半导体管芯；

在所述载体上设置与所述第一半导体管芯邻近的模块化互连结构；

将密封剂沉积在所述载体、第一半导体管芯和模块化互连结构上以及所述第一半导体管芯与模块化互连结构之间；

移除所述载体；

在所述第一半导体管芯、模块化互连结构和密封剂上形成堆积互连结构；

在所述第一半导体管芯上的堆积互连结构中形成腔，其中形成所述腔暴露所述腔内的第一导电层；

进行背研磨以移除所述半导体管芯和模块化互连结构上的密封剂，同时在所述半导体管芯与模块化互连结构之间留下密封剂，从而创建与所述模块化互连结构的表面和所述第一半导体管芯的表面共面的所述密封剂的表面；以及

在形成所述腔之后在所述第一导电层上设置第二半导体管芯。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成堆积互连结构包括：形成电连接到所述模块化互连结构、第一半导体管芯和第二半导体管芯的第一导电层，其中所述第一导电层在所述腔下方延伸。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在所述第一导电层和第二半导体管芯之间设置导电凸块。

4.根据权利要求2所述的方法，其中形成堆积互连结构还包括：在所述第一导电层上形成绝缘层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中形成堆积互连结构还包括：在所述绝缘层上且在所述腔周围形成第二导电层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第一半导体管芯上与所述第二半导体管芯相对地形成机械支撑层。

7.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供第一半导体管芯；

设置与所述第一半导体管芯邻近的模块化互连结构；

将密封剂沉积在所述第一半导体管芯上以及所述模块化互连结构与第一半导体管芯之间；

在所述第一半导体管芯的表面和所述密封剂的表面上形成堆积互连结构；

在所述堆积互连结构中形成腔；

对所述密封剂进行背研磨以创建与所述第一半导体管芯的表面共面的所述密封剂的表面，其中所述密封剂保持在所述半导体管芯与模块化互连结构之间；以及

在所述腔中设置第二半导体管芯。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：形成在所述第一半导体管芯的覆盖区外延伸的堆积互连结构。

9.根据权利要求7所述的方法，其中在所述堆积互连结构中形成腔暴露所述堆积互连结构的导电层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：在所述腔中所述导电层上安装所述第二半导体管芯。

11.一种半导体器件，包括：

第一半导体管芯；

模块化互连结构；

沉积在所述第一半导体管芯与模块化互连结构之间的密封剂，其中所述密封剂的表面与所述第一半导体管芯的表面和所述模块化互连结构的表面共面；

堆积互连结构，其被形成在所述第一半导体管芯的表面和所述密封剂的表面上且包括在所述堆积互连结构中形成的腔；以及

第二半导体管芯，其被设置在所述腔中。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：机械支撑层，其是在所述第一半导体管芯上与所述第二半导体管芯相对地形成的。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述第二半导体管芯被安装到所述腔中所述堆积互连结构的第一导电层上。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述堆积互连结构包括在所述第二半导体管芯周围所述腔的高度内形成的第二导电层。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：模块化互连单元，其是与所述第一半导体管芯邻近地设置的，其中所述密封剂延伸到所述模块化互连单元。