[发明专利]检测器再调制器

权利要求书

1.一种检测器再调制器，包括：

绝缘体上硅芯片；

耦合到第一输入波导的检测器，所述检测器包括第一掺杂区域和第二掺杂区域；

硅锗或同质硅调制器，位于所述绝缘体上硅芯片上，耦合到第二输入波导和输出波导；以及

将所述检测器连接到所述调制器的电路；

其中所述调制器包括波导，所述波导包括调制区域，在所述调制区域半导体结水平跨过所述调制器的所述波导来设置，所述半导体结包括第一掺杂区域和第二掺杂区域；

其中，所述电路连接到所述调制区域的第一侧上的第一电衬垫，所述第一电衬垫形成直接到所述半导体结的第一掺杂区域的接触，并且所述电路连接到所述检测器的第二侧上的第二电衬垫，所述第二电衬垫形成直接到所述检测器的第二掺杂区域的接触，并且所述电路包括从所述检测器到所述调制器的信号通路，所述信号通路具有在集成电路中的一部分。

2.根据权利要求1所述的检测器再调制器，其中所述第一输入波导、所述检测器、所述调制器、所述第二输入波导、以及所述输出波导被布置在彼此相同的水平面内。

3.根据权利要求1或2所述的检测器再调制器，其中所述调制区域的所述半导体结是具有p掺杂区域和n掺杂区域的p-n结。

4.根据权利要求3所述的检测器再调制器，其中所述第一电衬垫形成直接到所述p-n结的所述p掺杂区域的接触，所述调制区域的第二电衬垫形成直接到所述p-n结的所述n掺杂区域的接触。

5.根据权利要求1或2所述的检测器再调制器，其中所述调制区域的所述半导体结是具有p掺杂区域、本征区域、和n掺杂区域的p-i-n结。

6.根据权利要求5所述的检测器再调制器，其中所述第一电衬垫形成直接到所述p-i-n结的所述p掺杂区域的接触，所述调制区域的第二电衬垫形成直接到所述p-i-n结的所述n掺杂区域的接触。

7.根据权利要求1所述的检测器再调制器，其中所述调制器的所述调制区域由块状半导体材料形成。

8.根据权利要求1所述的检测器再调制器，其中所述检测器包括波导部分，其中半导体结设置成水平跨过所述波导部分。

9.根据权利要求8所述的检测器再调制器，其中所述检测器的所述半导体结是p-i-n结。

10.根据权利要求9所述的检测器再调制器，其中所述检测器的所述半导体结包括n-i-n结、n-p-n结或p-i-p结，使得所述检测器起到光电晶体管的作用。

11.根据权利要求9所述的检测器再调制器，其中所述电路连接到第三电衬垫，所述第三电衬垫形成直接到所述p-i-n结的本征区域的接触。

12.根据权利要求1所述的检测器再调制器，其中所述检测器由块状半导体材料形成。

13.根据权利要求1所述的检测器再调制器，其中所述电路是单片的。

14.根据权利要求1所述的检测器再调制器，其中所述电路是带状线电路。

15.根据权利要求1所述的检测器再调制器，其中所述调制器是电吸收调制器。

16.根据权利要求1所述的检测器再调制器，其中所述调制器是马赫-曾德尔调制器。

17.根据权利要求16所述的检测器再调制器，其中所述马赫-曾德尔调制器的每个臂包括调制区域和除了所述调制区域之外的相移区域，并且其中所述相移区域具有比所述调制区域更低的速度。